① 電腦的內存有問題，檢測卡上會出現哪些代碼
C級系列的代碼,所有以C開頭的代碼.都是指內存有問題.
② 怎樣查看我電腦中的內存型號
可以利用運行代碼查看內存型號，右擊左下角的開始按鈕，選擇運行。
輸入代碼「cmd」，點確定。
調出命令行模式，輸入代碼「wmic」回車。
在新出現的命令行里，輸入代碼「memorychip」然後回車。
接下來就可以看到內存的型號還有內存的大小了。
③ 如何看懂內存條的編碼
給你舉個例子啊
DDR 128MB PC2700
SA1C216164ST3K
200437-020 第一行是型號 代表DDR1 128M
第二行是序列號 每根內存的唯一標識號 廠商可以憑這個序列號找到是哪個代加工廠 哪條流水線 哪批元件 甚至經過哪台儀器哪個工人
第三行是出廠編號 代表生產周期
舉例 2
金邦內存晶元編號例如GL2000GP6LC16M84TG-7AMIR0032
其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5VVccCMOS，LC=0.2微米3.3VVddCMOS，V=2.5VVddCMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量=內存基粒容量*基粒數目=16*8=128Mbit，其中16=內存基粒容量；8=基粒數目；M=容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16FBGA，FC=60針11*13FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μBGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3VVddCMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。
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④ 內存條上的數字都代表什麼意思
不同品牌的不相同:你可參考如下資料吧:從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SPDinfo這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。 1、PC66/100 SDRAM內存標注格式 （1）1.0---1.2版本 這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。 （2）1.2b+版本 其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。 2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式 威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。 PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。 3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式 其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。 4、RDRAM 內存標注格式 其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。 5、各廠商內存晶元編號 內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。 由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，因此我們就先來看看它們的內存晶元編號。 （1）HYUNDAI（現代） 現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。 市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。 （2）LGS〔LG Semicon〕 LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。 （3）Kingmax(勝創) Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。 Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。 KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵風金條) 金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍'五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。 金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。 三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。 三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2 [15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP Ⅱ，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。 （6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J 其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類： （A）DRAM -4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3） -15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5 -8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ （B）RAMBUS（時鍾率） -4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS +的含義 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ （7）其它內存晶元編號 NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。 HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。 SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。 TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。 IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10 [15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP Ⅱ，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。 （6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J 其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類： （A）DRAM -4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3） -15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5 -8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ （B）RAMBUS（時鍾率） -4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS +的含義 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ （7）其它內存晶元編號 NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。 HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。 SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。 TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。 IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10
⑤ 用檢測卡測電腦,內存錯誤的代碼是什麼
一般是c1.
⑥ 內存怎麼看編碼識別啊
當你拿到一條內存的時候，能看出它的容量嗎？雖然我們可以把它插到機器上測試出來，但對於一個內行人來說，看一眼就能知道內存條的大小顯然是有意義的，並且並不難做到。
通過查驗內存顆粒的型號，我們就可以計算出內存的容量。雖然目前生產內存條的廠商有許多，但能生產內存顆粒、並且能夠佔領市場的廠家相對來說就不多了，國內市場上主流內存條所用的內存顆粒，主要是一些國際性的大廠所生產。
下面就以幾個大廠的內存顆粒編碼規則為例來說明內存容量的辨識方法。
一、三星內存顆粒
目前使用三星的內存顆粒來生產內存條的廠家非常多，在市場上有很高的佔有率。由於其產品線龐大，所以三星內存顆粒的命名規則非常復雜。三星內存顆粒的型號採用一個16位數字編碼命名的。這其中用戶更關心的是內存容量和工作速率的識別，所以我們重點介紹這兩部分的含義。
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
二、Micron內存顆粒
Micron（美光）內存顆粒的容量辨識相對於三星來說簡單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
三、西門子內存顆粒
目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
四、Kingmax內存顆粒
Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
⑦ 電腦內存壞了一般測試卡會顯示什麼代碼
c1 00c3 00是內存有問題的代碼。