電腦內存可以檢測顆粒生產日期

⑴ cpu-z可以檢測內存真假嗎

CPU-Z不能檢測出內存真假。
1，內存信息
基本都保存在內存條上的一個存儲器裡面，這個存儲器掉電後一直存在；
2，內存信息
是可以改寫的，可以原廠寫進去，也可以重新刷成另外的品牌；
3，CPU-Z檢測內存信息只能讀到內存信息，但不能判斷真偽；
4，通過防偽標簽驗證，電話驗證，網路驗證，或者看內存的做工等等來判斷。

⑵ 能從內存條上看出生產日期嗎

一般是去該品牌的官網，輸入內存條上的SN碼查詢，即可知道生產出廠日期！
或者下載CPU-Z 檢測即可查看
如果不會，也可以用魯大師測試，也是可以檢測出來的選購內存應當量力而行。如今主流的電腦配機方案中，1G和2G是兩個標準的配置。1G內存是入門電腦用戶的「夠用」選擇，而2G內存對於現在的電腦配置方案來說，應該屬於那種「好用」的配機方案了，它已能滿足現今包括Windows8在內的操作系統及3D游戲或發揮硬體性能的基本需求。加上現在內存便宜，所以128M的內存容量是最好的推薦。

2.認准內存類型

SDRAM是市場上的主流產品，占據了絕大部分市場，不過大家要小心別買錯了。現在很多人認為168線內存就是SDRAM，這是不對的，因為同樣有168線的EDODRAM。其實168線的EDODRAM還是可以一眼看出來的，最明顯的一點是EDODRAM晶元的針腳比較少，標準的16MBITSDRAM的針腳為44根，而16MBITEDODRAM的針腳為28根，疏密程度明顯不同;64MBITSDRAM的針腳為54根，而EDODRAM的針腳為32根或44根，針腳不是連續排列，因此中間會留下幾個針腳的空隙。

3.注意Remark

有些「作坊」把低檔內存晶元上的標示打磨掉，從新再寫上一個新標示，從而把低檔產品當高檔賣給用戶，這種情況就叫「Remark」。由於要打磨或腐蝕晶元的表面，一般都會在晶元的外觀上表現出來。正品的晶元表面一般都很有質感，要麼有光澤或熒光感要麼就是亞光的。如果覺得晶元的表面色澤不純甚至比較粗糙、發毛，那麼這顆晶元的表面一定是受到了磨損如今Win10系統、大型單機和網路游戲、專業設計製作、高清視頻製作等因素對內存容量的要求越來越高，挑選DDR4內存，4G已經是入門選擇；主流平台容量應該是8G；追求高性能體驗的，起碼16G起步；而專業頂級效能的平台，可以考慮32G容量以上。僅供參考哦

⑶ 請問如何在電腦上知道內存的顆粒廠商

可以知道的，有兩種方法可以。

1，可以通過cmd命令進行查看自己電腦的內存品牌，方法如下使用win鍵加r快捷方法打開

(3)電腦內存可以檢測顆粒生產日期擴展閱讀：

隨機存取所謂隨機存取，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入。

靜態隨機存取存儲器，靜態隨機存取存儲器，位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問Sequential Access存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系它主要用來存放操作系統各種應用程序數據等。

當RAM處於正常工作時可以從RAM，中讀出數據也可以往RAM中寫入數據與ROM相比較RAM的優點是讀寫方便使用靈活特別適用於經常快速更換數據的場合。

參考資源來源：網路-隨機存取存儲器

⑷ 怎麼查看電腦內存條生產日期

一般是去該品牌的官網，輸入內存條上的SN碼查詢，即可知道生產出廠日期！
或者下載CPU-Z 檢測即可查看
如果不會，也可以用魯大師測試，也是可以檢測出來的

⑸ 識別SD內存條顆粒編號，

GM: 原LGS的產品代號（已被HY收購）
72：表示SDRAM
66：容量為64Mbit(16為16Mbit，128為128Mbit）
8：數據寬為8位（一般為4、8、16)
4：4個Bank
1：版本內核代號，第1個版本。
T：為常見的TSOP II封裝（如「I」為BLP封裝）
75:7.5ns(133MHz)
0014：生產日期為2000年第14周

下面那個差不多，7J表示10ns(100MHz)

⑹ 如何辨別內存條顆粒。

Samsung內存

具體含義解釋：

例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0

主要含義：

第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。

第2位——晶元類型4，代表DRAM。

第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。

第11位——連線「-」。

第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。

知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存 條的容量是128Mbits（兆數位）×16片/8bits=256MB（兆位元組）。

註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC 內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數 據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判 定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。

Hynix(Hyundai)現代

·「8」是內存條晶元結構，代表改內存由8顆晶元構成。(4=4顆晶元；8=8顆晶元；16=16顆晶元；32=32顆晶元)

·「2」指內存的bank(儲蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·「2」代表介面類型為SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·「B」是內核代號為第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。

·封裝類型用「T」表示，即TSOP封裝。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述內存為空白，代表是普通封裝堆棧。

·封裝原料，空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素。該內存為普通封裝材料。

·「D43」表示內存的速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作溫度，一般被省略。I=工業常溫(-40～85度)；E=擴展溫度(-25～85度)

現代內存的含義：

HY5DV641622AT-36

HYXXXXXXXXXXXXXXXX

123456789101112

1、HY代表是現代的產品

2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；

3、處理工藝及工作電壓：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4、晶元容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新

5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系

7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2

8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新

9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元

10、內存晶元封裝形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ

11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A

現代的mBGA封裝的顆粒

Infineon（英飛凌）

Infineon 是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為 256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存 顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。

Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。

-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。

1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128Mbits（兆數位）×8片/8=128MB（兆位元組）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內存的說明

Kingmax 內存都是採用TinyBGA封裝（Tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全 是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。

容量備註：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間×4位數據寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間×8位數據寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間×4位數據寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間×8位數據寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空間×16位數據寬度。

Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：

-7A——PC133/CL=2；

-7——PC133/CL=3；

-8A——PC100/CL=2；

-8——PC100/CL=3。

例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A的內存顆粒製造，其容量計算為：64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——內存的類型。48代表SDRAM；46代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。

16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。

A2——內存內核版本號。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條MicronDDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。

其容量計算為：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆位元組）。

Winbond（華邦）

含義說明：

WXXXXXXXX

12345

1、W代表內存顆粒是由Winbond生產

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDRRAM

3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ

Mosel（台灣茂矽）

台 灣茂矽科技是台灣一家較大的內存晶元廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為V54C365164VDT45，從編號的6、7為65表示 單顆粒為64/8＝8MB，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位T45可知顆粒速度為4.5ns

NANYA（南亞）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR

南亞科技是全球第六大內存晶元廠商，也是去年台灣內存晶元商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母「S」表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。

AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD

M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）

V-DATA（香港威剛）、A-DATA（台灣威剛）、VT

內存顆粒編號為VDD8608A8A-6B H0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256M容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周

A－DATA

這是A－DATA的DDR500

⑺ 外表能看出電腦內存條的日期嗎

如果要看內存條的生產日期的話可以把內存條裝到電腦上通過CPU-Z或者魯大師等一些硬體檢測軟體來判斷，單單通過外表很難看出生產日期的。
一些內存條買過來包裝盒上可能會註明生產日期，大部分是沒有的。內存條表面的標簽會註明內存條的序列號，通過序列號去內存條廠商的官網也是可以查詢到製造日期的。
最好還是通過軟體檢測，內存條就算使用時間長了，外表也不會有什麼變化的，頂多金手指有部分氧化，但是肉眼難辨。用軟體檢測不僅可以看到生產日期，還可以檢測內存條的性能有沒有問題。

⑻ 剛買的內存條檢測出來是2015年的

DDR3內存已被DDR4所取代，廠家己逐漸停產進行庫存產品清理。你新買的DDR3內存是2015年的，這很正常。
當然除廠家清庫存外，也不乏有不法商家對舊內存打磨出售，好在內存因其是由內存晶元，SPD晶元，電阻等輔助元件和印刷線路版組成，它沒有機械結構，沒有磨損，在電腦組件中使用壽命最長，還有它沒有新舊之分，只要沒壞，它的功能不會有什麼衰退。
如果你新買的這個內存，現在使用正常，那你就放心使用吧，不必計較它是庫存還是翻新。

⑼ 如何在電腦上查看內存生產日期

1，下載 CPU-Z 軟體。

⑽ 怎麼查電腦的生產日期和內存

一：利用系統自帶的「命令提示符」
1.同時按下鍵盤左下角的「開始」+R鍵，在「運行」中輸入cmd並回車，打開命令提示符界面。
2.在「命令提示符」里輸入systeminfo然後敲回車後等上幾秒。
3.可以看到如圖1所顯示的各種信息。其中的「BIOS版本」信息里有2011/7/11,這就是電腦生產的大概日期。另外開可以看到系統版本，系統「初始安裝日期」（最近一次安裝系統的時間），內存大小等等信息。
二：利用軟體
如果電腦中安裝的有魯大師等一些硬體檢測軟體，那麼打開軟體點硬體檢測里的硬體健康，就可以看到如圖2里所顯示的包括主板，內存，顯卡和顯示器信息。
三：看機箱銘牌
這個方法只是對品牌機適用，可以查看機箱側面貼的銘牌，上面有出廠日期和服務編號。
對於購買二手電筒腦或筆記本的用戶可以自帶U盤存放一些硬體檢測軟體，方便查看各種信息。
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