電腦內存參數

Ⅰ 電腦內存技術參數有哪些

內存技術參數

單面內存與雙面內存的區別在於單面內存的內存晶元都在同一面上，而雙面內存的內存晶元分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區別就不同了。Bank從物理上理解為北橋晶元到內存的通道，通常每個通道為64bit。一塊主板的性能優劣主要取決於它的晶元組。不同的晶元組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列晶元組支持4個Bank，而SiS的645系列晶元組則能支持6個Bank。如果主板只支持4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多餘的2個Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。

這些電腦硬體文章經常出現的參數就是在主板的BIOS裡面關於內存參數的設置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預充電時間，數值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延遲，數值越小越好；CL(CAS Latency)為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。

什麼是雙通道DDR技術呢？需要說明的是，它並非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條D D R內存共同使用，數據並行傳輸的技術。雙通道DDR技術的優勢在於，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對於P 4處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端匯流排的P 4 A處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端匯流排的P4B處理器更是達到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達到了800MHZ 前端匯流排從而需要6. 4 G的內存帶寬。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66規范外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G /s的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內存，理論上提供2倍DDR400的帶寬。將從而根本的解決了CPU和內存之間的瓶頸問題。

DDR-II內存是相對於現在主流的DDR-I內存而言的，它們的工作時鍾預計將為400MHz或更高。主流內存市場將從現在的DDR-400產品直接過渡到DDR-II。目前DDR-II內存將採用0.13微米工藝，將來會過度到90納米，工作頻率也會超過800MHZ。

Ⅱ 怎麼查看電腦內存參數

分享我的一個小方法給你:

1.滑鼠右鍵點「計算機」，選擇【 屬性】 -- 【常規】選項卡中就可以看到電腦內存信息了。如下圖：

2.從中可以看出內存最重要的一項性能參數：內存容量，如上圖電腦內存的容量是1.87GB，目前內存標配的都是1.87GB，比較夠用，容量越大一般來說內存越好，對電腦性能提升越大。如果需要查看電腦內存的詳細信息可以直接拆開電腦主機機箱，拿出內存條，查看內存條上的銘牌標識，或者看購買內存的說明書。

Ⅲ 電腦的運行內存是什麼，有哪些參數

內存時直接和CPU進行數據交換的存儲設備，內存的容量和速度直接的影響了整台電腦的性能
內存的參數選擇

（1）內存容量

（2）存取時間TAC

（3）數據寬度

（4）存取周期TMC

（5）工作頻率

Ⅳ 怎麼看電腦內存條參數

一般情況下，直接使用任務管理器，可以看到內存的使用情況，但是如果要看詳細的參數，就需要使用驅動精靈魯大師之類的軟體，可以查看更加詳細的信息。

Ⅳ 電腦那個參數是運行內存啊

cpu：e3 1231v3散
散熱：暴雪T4
主板：華擎（ASRock） B85 Pro4
迪蘭（Dataland）R9 280 酷能 3G DC
內存：芝奇 RipjawsX DDR3 1600 8G(4G×2條)台式機內存
硬碟：西部數據(WD)藍盤 1TB
固態硬碟：浦科特（PLEXTOR） M6S系列 128G
機箱：先馬（SAMA）奇跡3 中塔機箱
電源：全漢 黑騎士RA550
cpu能看出來內存運行參數

Ⅵ 如何看電腦內存參數

1、下載CPU-Z，進行安裝，打開CPU-Z，彈出CPU-Z安裝窗口，單擊「下一步」，同意安裝協議，單擊「下一步」，選擇安裝的位置，盡量不要設置在c盤系統盤，我設置在了D盤，單擊「下一步」，直到安裝完成；。

2、安裝完畢，打開CPU-Z軟體，單擊菜單欄中的「內存」，就可以看到關於系統內存的信息了，內存頻率也包含其間。

Ⅶ 如何查看電腦內存的參數,在哪裡可以看得到

方法一：

1.滑鼠右鍵點「計算機」，選擇【 屬性】 -- 【常規】選項卡中就可以看到電腦內存信息了。如下圖：

Ⅷ 電腦中內存的主要參數有什麼

電腦內存條主要看品牌、型號、頻率等參數。

1、以台式機內存為例具體比較如下：台式機主要使用DDR內存，其型號從DDR1代到DDR4代，其技術越先進，頻率越高，其運行速度越快。品牌不同，其生產技術和產品質量也有不同。

Ⅸ 如何查看自己電腦的內存參數啊

查看詳細參數需要下載第三方軟體，例如CPU-Z。

內存參數規格：
內存的時序參數一般簡寫為2/2/2/6-11/1T的格式，分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最後兩個時序參數，也就是tRAS和CMD(Command縮寫)，是其中較復雜的時序參數。目前市場上對這兩個參數的認識有一些錯誤，因為部分內存廠商直接用它們來代表內存性能。
1、CMD Rate祥解：
Command Rate譯為"首命令延遲",這個參數的含義是片選後多少時間可以發出具體的定址的行激活命令，單位是時鍾周期。片選是指對行物理Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行）。如果系統指使用一條單面內存，那就不存在片選的問題了，因為此時只有一
2、tRAS：
tRAS在內存規范的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求後到初始化RAS（行地址選通脈沖）真正開始接受數據的間隔時間。這個參數看上去似乎很重要，其實不然。內存訪問是一個動態的過程，有時內存非常繁忙，但也有相對空閑的時候，雖然內存訪問是連續不斷的。tRAS命令是訪問新數據的過程(例如打開一個新的程序)，但發生的不多。

3、CAS:
CAS意為列地址選通脈沖(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制著從收到命令到執行命令的間隔時間，通常為2，2.5,3這個幾個時鍾周期。在整個內存矩陣中，因為CAS按列地址管理物理地址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。過程是這樣的，在內存陣列中分為行和列，當命令請求到達內存後，首先被觸發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，數據被請求後需預先充電，一旦tRAS被激活後，RAS才開始在一半的物理地址中定址，行被選定後，tRCD初始化，最後才通過CAS找到精確的地址。整個過程也就是先行定址再列定址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。因為CAS是定址的最後一個步驟，所以在內存參數中它是最重要的。
4、tRCD:
根據標准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲)，對應於CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內存定址。RAS(數據請求後首先被激發)和CAS(RAS完成後被激發)並不是連續的，存在著延遲。然而，這個參數對系統性能的影響並不大，因為程序存儲數據到內存中是一個持續的過程。在同個程序中一般都會在同一行中定址，這種情況下就不存在行定址到列定址的延遲了。
5、tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行預充電時間。也就是內存從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS, 然後 RAS, tRCD, 和CAS之後，需要結束當前的狀態然後重新開始新的循環，再從tRAS開始。這也是內存工作最基本的原理。如果你從事的任務需要大量的數據變化，例如視頻渲染，此時一個程序就需要使用很多的行來存儲，tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度越快。

Ⅹ 電腦內存條主要看哪些參數用哪些參數比較

電腦內存條主要看品牌、型號、頻率等參數。

1、以台式機內存為例具體比較如下：台式機主要使用DDR內存，其型號從DDR1代到DDR4代，其技術越先進，頻率越高，其運行速度越快。品牌不同，其生產技術和產品質量也有不同。