怎麼調整電腦內存條參數

1. 電腦內存條超頻設置

1、啟動電腦按Del鍵進入BIOS設置主界面。在主菜單選擇「Advanced Chipset Features」選項，發現有關內存的設置。「SDRAM CAS Latency Time」（內存CAS延遲時間）參數是對於SDRAM內存而言的，CAS信號延遲時間的長短對內存性能有很大影響。
2、一般它有AUTO/3/2三個選項。普通的兼容內存一般只能在CL=3 (CAS信號延遲時間為3個時鍾周期)模式下工作。如果內存品質比較好（特別是Kingmax等名牌大廠的產品），可以在CL=2(CAS信號延遲時間為2個時鍾周期)下正常工作，性能也會有大幅提高。
3、接下來是「SDRAM Cycle time Tras/Trc(內存Tras/Trc時鍾周期)」設置項。該參數用於確定SDRAM內存行激活時間和行周期時間的時鍾周期數。步驟4 激活時間與周期數越小的內存讀取就越快。可將該項設置得小一些，如果內存品質比較好，可以設為5/7，這是速度就比較快。

內存超頻就是讓內存外頻運行在比它被設定運行的更高的速度下。在內存同步工作模式下，內存的運行速度與CPU外頻相同。而內存非同步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低於系統匯流排速度33MHz或3:4、4:5（內存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時經常受限於內存的「瓶頸」。

2. 內存頻率怎麼設置

可以內存條超頻到1600。步驟方法如下：

工具：MacBook PRO。

系統版本：Windows 10專業版。

1、點擊電腦開始菜單內的關機，如下。

3. 如何更改電腦內存條的頻率

1、我們可以拔出內存條來看一下。圖中這個DDR2內存條標貼上很明白的標明了內存頻率，它的頻率是800MHZ。

4. 主板BIOS內存頻率怎麼調

1、首先，您需要進入BIOS。按下電源按鈕後，按鍵盤上的DEL鍵進入BIOS。

5. 電腦的虛擬內存參數怎麼設置

虛擬內存設置的大小，比較多的解釋是物理內存的1.5到2倍，它的設置方法同我們平常的操作不太一樣。下面是正確的方法。
右鍵點「我的電腦」，左鍵點「屬性」，點選「高級」選項卡，點「性能」里的「設置」按鈕，再選「高級」選項卡，點下面的「更改」按鈕，所彈出的窗口就是虛擬內存設置窗口，一般默認的虛擬內存是從小到大的一段取值范圍，這就是虛擬內存變化大小的范圍，最好給它一個固定值，這樣就不容易產生磁碟碎片了，具體數值根據你的物理內存大小來定，一般為物理內存的1.5到2倍，如內存為256M，那麼應該設置256*1.5=384M，或者乾脆512M，設置方法如下：
假設內存為256M，虛擬內存放在D盤，先要將默認的清除，保持C盤為選中狀態，單選「無分頁文件（N）」再按「設置」按鈕，此時C盤旁的虛擬內存就消失了，然後選中D盤，單選「自定義大小」，在下面的「初始大小」和「最大值」兩個方框里都添上512，再點一下「設置」按鈕，會看到D盤的旁邊出現了「512-512」的字樣，這樣就說明設置好了，再一路確定，最終，系統會要重新啟動，重啟一下，便完成了設置。

6. 電腦內存頻率怎麼調呢

1.重啟電腦後狂按鍵盤上的「Delete」鍵，進入BISO後，如下圖所示，再點擊「Overclocking Setting」。

選擇Overclocking Setting。

溫馨提醒：MSI近兩年新出的主板都支持中文顯示和滑鼠操作。

2.然後點擊內存頻率一欄，手動選擇最高的頻率。

3.最後按「F10」保存退出，任務完成！

7. 電腦如何改運行內存

物理內存容量可以通過加插或者拔掉內存條來增減。

頁面文件（虛擬內存）可以改設置調整大小，設置路徑如下：「控制面板」，右上角「查看方式」改為「小圖標」，再在頁面當前頁面里找到並打開「系統」這一項，「高級系統設置」，「高級」，「性能」，「設置」，「高級」，「虛擬內存」，「更改」，到達下圖界面，取消頂部的「自動管理所有驅動器的分頁文件大小」之後就可以手動更改虛擬內存了，不過強烈建議使用「自動管理」而非手動設置虛擬內存大小。

8. 內存時序怎麼設置

雖然我從小就對看書感興趣，可是讓我看一本完全不了解的書可是一點都看不下去，學知識也是一樣，自己喜歡的不用別人督促，就能把它學的很好很扎實，自己不喜歡的學科呢，就要逼著自己學，而且效果並不好，興趣是最好的老師，不過正在上學還沒高考的可要認真學習每一門功課，考上大學後再選擇一個自己喜歡的專業。內存時序設置我是看不懂，相信總有人會明白的。

內存時序設置

內存參數的設置正確與否，將極大地影響系統的整體性能。下面我們將針對內存關於時序設置參數逐一解釋，以求能讓大家在內存參數設置中能有清晰的思路，提高電腦系統的性能。

涉及到的參數分別為：

CPC : Command Per Clock

tCL : CAS Latency Control

tRCD : RAS to CAS Delay

tRAS : Min RAS Active Timing

tRP : Row Precharge Timing

tRC : Row Cycle Time

tRFC : Row Refresh Cycle Time

tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)

tWR : Write Recovery Time

……及其他參數的設置

首 先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”(視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable)，如果要調整內存時序，應該先打開 手動設置，之後會自動出現詳細的時序參數列表：

CPC : Command Per Clock

可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的定址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進行)，然後才是L-Bank/行激活與列地址的選 擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行激活命令，單位是時鍾周期。

顯然，CPC越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制晶元組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。

該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。

tCL : CAS Latency Control(tCL)

可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說 是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。

內存是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是 tRAS(Activeto Precharge Delay)，預充電後，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活後，RAS(Row Address Strobe )開始進行需要數據的定址。首先是行地址，然後初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束 就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最後一個步驟，也是內存參數中最重要的。

這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令後要等待多少個時鍾周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要 的時鍾周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同 時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。

該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6晶元可能無法設為3。

tRCD : RAS to CAS Delay

可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鍾周期。在 JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時， 系統將處於最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。

如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。

tRAS : Min RAS Active Timing

可選的設置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

該值就是該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的最後一個參數，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內存行有效至預充電的最短周期”，調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5-10之間。這個參數要根據實際情況而定，並 不是說越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太長，系統會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態。如果tRAS的周期太 短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發傳輸，這樣會引發丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鍾周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鍾周期。為提高系統性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發生內存錯誤 或系統死機，則應該增大tRAS的值。

tRP : Row Precharge Timing(tRP)

可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第3個參數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。

tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激 活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，內存控制器不能順利地完成讀寫操作。對於桌面計算機 來說，推薦預充電參數的值設定為2個時鍾周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鍾周期，這將影響DDR 內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鍾周期。

一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數。

tRC : Row Cycle Time(tRC)

可選的設置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預充電到激活在內的整個過程所需要的最小的時鍾周期數。其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設置該參數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鍾周期後激活新的地址而 等待無謂的延時，而降低性能。然後一旦該值設置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會導致數據丟失和損壞。

因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設置，如果你的內存模塊的tRAS值是7個時鍾周期，而tRP的值為4個時鍾周期，則理想的tRC的值應當設置為11個時鍾周期。

tRFC : Row Refresh Cycle Time

可選的設置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鍾周期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次 發送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設置，17-19是內存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鍾周期。

tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)

可選的設置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。

Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。

延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由於需要一定量的數據，太短的延遲會引起連續數據膨脹。於桌面計算機來說，推薦 tRRD值設定為2個時鍾周期，這是最佳的設置，此時的數據膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鍾周期，這將 影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鍾周期。

tWR : Write Recovery Time

可選的設置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鍾周期。這段必須的時鍾周期用來確保在預 充電發生前，寫緩沖中的數據可以被寫進內存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致數據還未被正確寫入到內存單元中，就發生了預充電 操作，會導致數據的丟失及損壞。

如果你使用的是DDR200和266的內存，建議將tWR值設為2;如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設為3。

tWTR : Write to Read Delay

可選的設置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最後的數據進入讀指令。它設定向DDR內存模塊中的同一個單元中，在最後一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鍾周期。

tWTR值為2在高時鍾頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統穩定性。這種情況下，也使得內存晶元運行於高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以 讓內容模塊運行於比其默認速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1;如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的 值設為1，如果系統不穩定，則改為2。

tREF : Refresh Period

可選的設置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內存模塊的刷新周期。

先請看不同的參數在相同的內存下所對應的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應的准確數據。

1552= 100mhz(?.??s)

2064= 133mhz(?.??s)

2592= 166mhz(?.??s)

3120= 200mhz(?.??s)

---------------------

3632= 100mhz(?.??s)

4128= 133mhz(?.??s)

4672= 166mhz(?.??s)

0064= 200mhz(?.??s)

---------------------

0776= 100mhz(?.??s)

1032= 133mhz(?.??s)

1296= 166mhz(?.??s)

1560= 200mhz(?.??s)

---------------------

1816= 100mhz(?.??s)

2064= 133mhz(?.??s)

2336= 166mhz(?.??s)

0032= 200mhz(?.??s)

---------------------

0388= 100mhz(15.6us)

0516= 133mhz(15.6us)

0648= 166mhz(15.6us)

0780= 200mhz(15.6us)

---------------------

0908= 100mhz(7.8us)

1032= 133mhz(7.8us)

1168= 166mhz(7.8us)

0016= 200mhz(7.8us)

---------------------

1536= 100mhz(3.9us)

2048= 133mhz(3.9us)

2560= 166mhz(3.9us)

3072= 200mhz(3.9us)

---------------------

3684= 100mhz(1.95us)

4196= 133mhz(1.95us)

4708= 166mhz(1.95us)

0128= 200mhz(1.95us)

如果採用Auto選項，主板BIOS將會查詢內存上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的晶元。SPD存儲了內存條的各種相關工作參數等信息，系統會自動根據SPD中的數據中最保守的設置來確定內存的運行參數。如過要追求最優的性能，則需 手動設置刷新周期的參數。一般說來，15.6us適用於基於128兆位內存晶元的內存(即單顆容量為16MB的內存)，而7.8us適用於基於256兆位 內存晶元的內存(即單顆容量為32MB的內存)。注意，如果tREF刷新周期設置不當，將會導致內存單元丟失其數據。

另外根據其他的資料顯示，內存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導致數據的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是 bit。陣列中的每個bit都能被隨機地訪問。但如果不充電，數據只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數據就被重寫 一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO內存每刷新 一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。

tREF和tRAS一樣，不是一個精確的數值。通常15.6us和3.9us都能穩定運行，1.95us會降低內存帶寬。很多玩家發現，如果內存質量優良，當tREF刷新周期設置為3120=200mhz(?.??s)時，會得到最佳的性能/穩定性比。

9. 聯想bios內存條怎麼設置

內存(Memory)被稱為內存儲器，其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。那麼聯想bios內存條怎麼設置?下面是我給大家整理的一些相關信息，希望對大家有幫助!

聯想bios內存條怎麼設置

FSB與內存頻率的關系

首先請大家看看FSB(Front Side Bus：前端匯流排)和內存比率與內存實際運行頻率的關系。 FSB/MEM比率 實際運行頻率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz

對於大多數玩家來說，FSB和內存同步，即1:1是使性能最佳的選擇。而其他的設置都是非同步的。同步後，內存的實際運行頻率是FSBx2，所 以，DDR400的內存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB為240MHz，則同步後，內存的實際運行頻率為240MHz x 2 = 480MHz。FSB與不同速度的DDR內存之間正確的設置關系

強烈建議採用1：1的FSB與內存同步的設置，這樣可以完全發揮內存帶寬的優勢。內存時序設置

內存參數的設置正確與否，將極大地影響系統的整體性能。下面我們將針對內存關於時序設置參數逐一解釋，以求能讓大家在內存參數設置中能有清晰的思路，提高電腦系統的性能。

涉及到的參數分別為： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他參數的設置 CPC : Command Per Clock

可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的定址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進行)，然後才是L-Bank/行激活與列地址的選 擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行激活命令，單位是時鍾周期。

顯然，CPC越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制晶元組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。

該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。tCL : CAS Latency Control(tCL)

可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說 是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。

內存是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，預充電後，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活後，RAS(Row Address Strobe )開始進行需要數據的定址。首先是行地址，然後初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束 就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最後一個步驟，也是內存參數中最重要的。

這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令後要等待多少個時鍾周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳 送所需要的時鍾周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或 2.5的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。

該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值 為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6晶元可能無法設為3。tRCD : RAS to CAS Delay

可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鍾周期。在 JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時， 系統將處於最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。

如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。