電腦內存型號及參數

Ⅰ 電腦內存條主要看哪些參數

電腦內存條主要看品牌、型號、頻率等參數。

1、以台式機內存為例具體比較如下：台式機主要使用DDR內存，其型號從DDR1代到DDR4代，其技術越先進，頻率越高，其運行速度越快。品牌不同，其生產技術和產品質量也有不同。

Ⅱ 內存條都有哪幾種型號

現在內存常用的分為3大類型！
一、SDR的內存（用於P3的電腦上）
SDR的識別方法為：內存上有兩個小口，只要是兩個缺口，可以直接認定是SDR，用於奔3的電腦。
二、DDR一代（用於P4的電腦上）
DDR一代分別有DDR333和DDR400
兩種，至於是哪一類型，通常在外表沒有標簽的情況下很難看出來。
但是識別的方法為，只有一個缺口，而且上面的晶元顆粒為
長方形，只要是長方形，一個缺口，就是DDR一代！
三、DDR二代（現在的主流，雙核等等）
DDR二代分別有DDR444、DDR533、DDR667、DDR800現在前兩種已經絕跡了，常用的是後面兩種，一般在內存上都會有數字表示。識別的方法為：只有個缺口，晶元顆粒為正方形的，只要符合條件，就是DDR二代。
可能還有其他的內存，我的知識有限，不過這些也足夠您使用的啦。沒有功勞也有苦勞啊，樓主！
（樓主，以上回答，純粹是個人工作經驗及心得，並非網路搜索出來，如果回答滿意請給予獎勵

Ⅲ 電腦內存條主要看哪些參數用哪些參數比較

電腦內存條主要看品牌、型號、頻率等參數。

1、以台式機內存為例具體比較如下：台式機主要使用DDR內存，其型號從DDR1代到DDR4代，其技術越先進，頻率越高，其運行速度越快。品牌不同，其生產技術和產品質量也有不同。

Ⅳ 內存的型號及技術參數

SDRAM時代 自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板晶元組推出後，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。 第一代SDRAM 內存為PC66 規范，但很快由於Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內存很快就被PC100內存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由於SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數據匯流排寬度，因此它只需要一條內存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由於其輸入輸出信號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內存。 不可否認的是，SDRAM 內存由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恆的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規范的內存。 盡管SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內存不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM內存（稱為RDRAM內存）。與SDRAM不同的是，其採用了新一代高速簡單內存架構，基於一種類RISC(Reced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。 在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬於頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手鐧，Rambus DRAM內存以高時鍾頻率來簡化每個時鍾周期的數據量，因此內存帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。 盡管如此，Rambus RDRAM 內存生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR「掠奪」其寶座地位，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內存因出現Intel820 晶元組「失誤事件」、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平台高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內存面前。 DDR時代 DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是「雙倍速率SDRAM」的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本， DDR在時鍾信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由於僅多採用了下降緣信號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鍾上升緣傳輸。 DDR 內存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內存帶寬上的不足。第一代DDR200 規范並沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鍾×2倍數據傳輸＝266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內存所衍生出的，它將DDR 內存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在採用DDR266規格的內存，其後來的DDR333內存也屬於一種過度，而DDR400內存成為目前的主流平台選配，雙通道DDR400內存已經成為800FSB處理器搭配的基本標准，隨後的DDR533 規范則成為超頻用戶的選擇對象。 DDR2時代 隨著CPU 性能不斷提高，我們對內存性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標准，加上LGA775介面的915/925以及最新的945等新平台開始對DDR2內存的支持，所以DDR2內存將開始演義內存領域的今天。 DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其介面將運行於1.8V 電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升內存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標准來看，針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、667MHz等不同的時鍾頻率。高端的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將採用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。 內存技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態內存在五年內不會普及。QBM與RDRAM內存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。 PC-100的「接班人」除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重 要的一員。VCM即「虛擬通道存儲器」，這也是目前大多數較新的晶元組支持的一種內存標准，VCM內存主要根據由NEC公司開發的一種「緩存式DRAM」技術製造而成，它集成了「通道緩存」，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不論是否經過CPU處理的數據，都可先交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的數據，所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的晶元組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。 3．RDRAM Intel在推出：PC-100後，由於技術的發展，PC-100內存的800MB／s帶寬已經不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高並不大(1064MB／s)，同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。 Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內存規格，採用了新一代高速簡單內存架構，基於一種RISC(Reced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，從而可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit匯流排，在一個時鍾周期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2＝800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s，相當於PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit位元組，額外的一比特是屬於保留比特，可能以後會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鍾可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryMoles，Rambus內嵌式內存模塊)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內存的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內存甚至需要自帶散熱風扇。 DDR3時代 DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3內存模組仍會從1066Mhz起跳。 一、DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計： 1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。 2．採用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。 3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能

Ⅳ 當前流行的CPU、主板、內存條的型號和主要參數

2020年（截止4月份）主流的CPU、主板、內存：
【英特爾平台CPU】英特爾i3 9100F、英特爾i5 9400F、英特爾i5 9600KF、英特爾i7 9700F、英特爾i7 9700、英特爾i7 9700KF、英特爾i7 9700K、英特爾i9 9900KF、英特爾i9 9900K。
【AMD平台CPU】AMD R3 3200G、AMD R5 3500X、AMD R5 3600、AMD R5 3600X、AMD R7 3700X、AMD R7 3800X、AMD R9 3900X。
【英特爾平台主板】H310M主板、B360M主板、B365M主板、Z390主板。
【AMD平台主板】A320M主板、B450M主板、X570主板。
【內存】DDR4內存（主要頻率：2400、2666、3000、3200、3600、4000、4133、4266）

Ⅵ 最常見的內存型號有哪些

內存條主要的幾個型號參數：
1 容量:128M 265M 512M 1G 2G 4G (現在主流的為2G)
2介面類型: SD DDR DDR2 DDR3 (現在都是DDR2和DDR3）
3工作頻率:
SD的66MHZ-166MHZ
DDR的200--333-400MHZ
（以上兩種都不多見了）
DDR2的533-667-800-1066MHZ （667和800最常見）
DDR3的1066-1333-1800-2000-2133MHZ （1333MHZ採用比較多）

內存品牌：
1 金士頓（Kingston）內存
2 現代（Hynix）內存
3 威剛（ADATA）內存
4 金邦（GEIL）內存
5 三星（Samsung）內存
6 勝創（Kingmax）內存
6 勝創（Kingmax）內存

參考價格： 金士頓 DDR3 1333 2G 140元

Ⅶ 請問內存條型號等等的各項參數！

KINBOX是台灣黑金剛
算是個二線小牌子，不是山寨廠，所以生產的基本都是全兼容的DDR3內存條，沒有AMD專用條
AM3+主板可以用，其他上DDR3內存的主板都可以用，范圍很廣，AMD的 AM3/AM3+
英特爾LGA775的大部分主板
酷睿I系列的1-5代，還有部分魔改用DDR3內存的酷睿8-9代主板都可以用
只有DDR2和DDR4的主板用不了

Ⅷ 菜鳥又問：內存都有什麼類型的各型號的具體參數是什麼

在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存）.內存在電腦中起著舉足輕重的作用。內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

●內存

內存就是存儲程序以及數據的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字元時，它就被存入內存中，當你選擇存檔時，內存中的數據才會被存入硬（磁）盤。在進一步理解它之前，還應認識一下它的物理概念。

●只讀存儲器（ROM）

ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在製造ROM的時候，信息（數據或程序）就被存入並永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數據也不會丟失。ROM一般用於存放計算機的基本程序和數據，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。

●隨機存儲器（RAM）

隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存於其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊佔用的空間。目前市場上常見的內存條有128M／條、256M／條、512M／條等。

●高速緩沖存儲器（Cache）

Cache也是我們經常遇到的概念，它位於CPU與內存之間，是一個讀寫速度比內存更快的存儲器。當CPU向內存中寫入或讀出數據時，這個數據也被存儲進高速緩沖存儲器中。當CPU再次需要這些數據時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取數據，而不是訪問較慢的內存，當然，如需要的數據在Cache中沒有，CPU會再去讀取內存中的數據。

當你理解了上述概念後，也許你會問，內存就是內存，為什麼又會出現各種內存名詞，這到底又是怎麼回事呢？

在回答這個問題之前，我們再來看看下面這一段。

物理存儲器和地址空間

物理存儲器和存儲地址空間是兩個不同的概念。但是由於這兩者有十分密切的關系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小，因此容易產生認識上的混淆。初學者弄清這兩個不同的概念，有助於進一步認識內存儲器和用好內存儲器。

物理存儲器是指實際存在的具體存儲器晶元。如主板上裝插的內存條和裝載有系統的BIOS的ROM晶元，顯示卡上的顯示RAM晶元和裝載顯示BIOS的ROM晶元，以及各種適配卡上的RAM晶元和ROM晶元都是物理存儲器。

存儲地址空間是指對存儲器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對每一個物理存儲單元（一個位元組）分配一個號碼，通常叫作「編址」。分配一個號碼給一個存儲單元的目的是為了便於找到它，完成數據的讀寫，這就是所謂的「定址」（所以，有人也把地址空間稱為定址空間）。

地址空間的大小和物理存儲器的大小並不一定相等。舉個例子來說明這個問題：某層樓共有17個房間，其編號為801～817。這17個房間是物理的，而其地址空間採用了三位編碼，其范圍是800～899共100個地址，可見地址空間是大於實際房間數量的。

對於386以上檔次的微機，其地址匯流排為32位，因此地址空間可達232即4GB。但實際上我們所配置的物理存儲器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等，遠小於地址空間所允許的范圍。

好了，現在可以解釋為什麼會產生諸如：常規內存、保留內存、上位內存、高端內存、擴充內存和擴展內存等不同內存類型。

各種內存概念

這里需要明確的是，我們討論的不同內存的概念是建立在定址空間上的。

IBM推出的第一台PC機採用的CPU是8088晶元，它只有20根地址線，也就是說，它的地址空間是1MB。

PC機的設計師將1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及應用程序使用，高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統使用。從此，這個界限便被確定了下來並且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規內存即PC機的基本RAM區。保留內存中的低128KB是顯示緩沖區，高64KB是系統BIOS（基本輸入／輸出系統）空間，其餘192KB空間留用。從對應的物理存儲器來看，基本內存區只使用了512KB晶元，佔用0000至80000這512KB地址。顯示內存區雖有128KB空間，但對單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了，因此只安裝4KB的物理存儲器晶元，佔用了B0000至B10000這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲器，佔用B8000至BC000這16KB的空間，可見實際使用的地址范圍都小於允許使用的地址空間。

在當時（1980年末至1981年初）這么「大」容量的內存對PC機使用者來說似乎已經足夠了，但是隨著程序的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能訪問更大內存空間的新型CPU相繼出現，最初的PC機和MS－DOS設計的局限性變得越來越明顯。

1.什麼是擴充內存？

EMS工作原理

到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認識到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時，Intel和Lotus，這兩家硬、軟體的傑出代表，聯手制定了一個由硬體和軟體相結合的方案，此方法使所有PC機存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對內存空間的要求也很高，因此它也及時加入了該行列。

在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴充內存規范，通常稱EMS為擴充內存。當時，EMS需要一個安裝在I／O槽口的內存擴充卡和一個稱為EMS的擴充內存管理程序方可使用。但是I／O插槽的地址線只有24位（ISA匯流排），這對於386以上檔次的32位機是不能適應的。所以，現在已很少使用內存擴充卡。現在微機中的擴充內存通常是用軟體如DOS中的EMM386把擴展內存模擬或擴充內存來使用。所以，擴充內存和擴展內存的區別並不在於其物理存儲器的位置，而在於使用什麼方法來讀寫它。下面將作進一步介紹。

前面已經說過擴充存儲器也可以由擴展存儲器模擬轉換而成。EMS的原理和XMS不同，它採用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內存區內，但其物理存儲器來自擴展存儲器），分為4頁，每頁16KB。EMS存儲器也按16KB分頁，每次可交換4頁內容，以此方式可訪問全部EMS存儲器。符合EMS的驅動程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。

2.什麼是擴展內存？

我們知道，286有24位地址線，它可定址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可定址高達4GB的地址空間，為了區別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴展內存XMS（eXtend memory）。

在386以上檔次的微機中，有兩種存儲器工作方式，一種稱為實地址方式或實方式，另一種稱為保護方式。在實方式下，物理地址仍使用20位，所以最大定址空間為1MB，以便與8086兼容。保護方式採用32位物理地址，定址范圍可達4GB。DOS系統在實方式下工作，它管理的內存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴展存儲器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴展內存的使用標准，即擴展內存規范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴展內存的驅動程序。

擴展內存管理規范的出現遲於擴充內存管理規范。

3.什麼是高端內存區？

在實方式下，內存單元的地址可記為：

段地址：段內偏移

通常用十六進制寫為XXXX：XXXX。實際的物理地址由段地址左移4位再和段內偏移相加而成。若地址各位均為1時，即為FFFF：FFFF。其實際物理地址為：FFF0＋FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16位元組），這已超過1MB范圍進入擴展內存了。這個進入擴展內存的區域約為64KB，是1MB以上空間的第一個64KB。我們把它稱為高端內存區HMA（High Memory Area）。HMA的物理存儲器是由擴展存儲器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴展存儲器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅動程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之後才能使用HMA。

4.什麼是上位內存？

為了解釋上位內存的概念，我們還得回過頭看看保留內存區。保留內存區是指640KB～1024KB（共384KB）區域。這部分區域在PC誕生之初就明確是保留給系統使用的，用戶程序無法插足。但這部分空間並沒有充分使用，因此大家都想對剩餘的部分打主意，分一塊地址空間（注意：是地址空間，而不是物理存儲器）來使用。於是就得到了又一塊內存區域UMB。

UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位內存或上位內存塊。它是由擠占保留內存中剩餘未用的空間而產生的，它的物理存儲器仍然取自物理的擴展存儲器，它的管理驅動程序是EMS驅動程序。

5.什麼是SHADOW（影子）內存？

對於細心的讀者，可能還會發現一個問題：即是對於裝有1MB或1MB以上物理存儲器的機器，其640KB～1024KB這部分物理存儲器如何使用的問題。由於這部分地址空間已分配為系統使用，所以不能再重復使用。為了利用這部分物理存儲器，在某些386系統中，提供了一個重定位功能，即把這部分物理存儲器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲器就變成了擴展存儲器，當然可以使用了。但這種重定位功能在當今高檔機器中不再使用，而把這部分物理存儲器保留作為Shadow存儲器。Shadow存儲器可以占據的地址空間與對應的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高於ROM。當把ROM中的內容（各種BIOS程序）裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問BIOS，而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統性能。因此在設置CMOS參數時，應將相應的Shadow區設為允許使用（Enabled）。

6、什麼是奇/偶校驗？

奇/偶校驗（ECC）是數據傳送時採用的一種校正數據錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。

如果是採用奇校驗，在傳送每一個位元組的時候另外附加一位作為校驗位，當實際數據中「1」的個數為偶數的時候，這個校驗位就是「1」，否則這個校驗位就是「0」，這樣就可以保證傳送數據滿足奇校驗的要求。在接收方收到數據時，將按照奇校驗的要求檢測數據中「1」的個數，如果是奇數，表示傳送正確，否則表示傳送錯誤。

同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣，只是檢測數據中「1」的個數為偶數。

總 結

經過上面分析，內存儲器的劃分可歸納如下：

●基本內存 占據0～640KB地址空間。

●保留內存 占據640KB～1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲器、各適配卡上的ROM和系統ROM BIOS，剩餘空間可作上位內存UMB。UMB的物理存儲器取自物理擴展存儲器。此范圍的物理RAM可作為Shadow RAM使用。

●上位內存（UMB） 利用保留內存中未分配使用的地址空間建立，其物理存儲器由物理擴展存儲器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驅動程序設定。

●高端內存（HMA） 擴展內存中的第一個64KB區域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。

●XMS內存 符合XMS規范管理的擴展內存區。其驅動程序為HIMEM.SYS。

●EMS內存 符合EMS規范管理的擴充內存區。其驅動程序為EMM386.EXE等。 支持內存類型是指主板所支持的具體內存類型。不同的主板所支持的內存類型是不相同的。早期的主板使用的內存類型主要有FPM、EDO、，SDRAM、RDRAM，目前主板常見的有DDR、DDR2內存。

FPM內存

FPM是Fast Page Mode（快頁模式）的簡稱，是較早的PC機普遍使用的內存，它每隔3個時鍾脈沖周期傳送一次數據。現在早就被淘汰掉了。

EDO內存

EDO是Extended Data Out（擴展數據輸出）的簡稱，它取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鍾脈沖周期傳輸一次數據，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30％，達到60ns。EDO內存主要用於72線的SIMM內存條，以及採用EDO內存晶元的PCI顯示卡。這種內存流行在486以及早期的奔騰計算機系統中，它有72線和168線之分，採用5V工作電壓，帶寬32 bit，必須兩條或四條成對使用，可用於英特爾430FX/430VX甚至430TX晶元組主板上。目前也已經被淘汰，只能在某些老爺機上見到。

SDRAM內存

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態隨機存儲器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內存形式。SDRAM採用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內存相比速度能提高50％。SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時，另一個就已為讀寫數據做好了准備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。SDRAM曾經是長時間使用的主流內存，從430TX晶元組到845晶元組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。

RDRAM內存

RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存儲器匯流排式動態隨機存儲器）的簡稱，是Rambus公司開發的具有系統帶寬、晶元到晶元介面設計的內存，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的匯流排傳輸數據，同時使用低電壓信號，在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸數據。最開始支持RDRAM的是英特爾820晶元組，後來又有840，850晶元組等等。RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由於其高昂的價格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的DDR SDRAM迅速取代，市場份額很小。

DDR SDRAM內存

DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（雙數據率同步動態隨機存儲器）的簡稱，是由VIA等公司為了與RDRAM相抗衡而提出的內存標准。DDR SDRAM是SDRAM的更新換代產品，採用2.5v工作電壓，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度，並具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內存帶寬，例如DDR 266與PC 133 SDRAM相比，工作頻率同樣是133MHz，但內存帶寬達到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的晶元組都支持DDR SDRAM，是目前最常用的內存類型。

DDR2

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。

DDR2內存的頻率

此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

DDR2與DDR的區別：

在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。

1、延遲問題：

從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。

這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。

2、封裝和發熱量：

DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。

DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。

DDR2採用的新技術：

除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。

ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。

Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。

總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。

ECC並不是內存類型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一種具有自動糾錯功能的內存，英特爾的82430HX晶元組就開始支持它，使用該晶元組的主板都可以安裝使用ECC內存，但由於ECC內存成本比較高，所以主要應用在要求系統運算可靠性比較高的商業電腦中，例如伺服器/工作站等等。由於實際上存儲器出錯的情況不會經常發生，而且普通的主板也並不支持ECC內存，所以一般的家用與辦公電腦也不必採用ECC內存。

Ⅸ 如何看筆記本內存條是幾代的，那些參數表示什麼

pc2和pc3是代表內存幾代的意思，pc2是二代內存，pc3是三代內存。

查看筆記本內存條是幾代的方法步驟：

一、查看說明書。如果是品牌電腦，一般會附帶電腦說明書或詳細的硬體配置清單，可由此確定其內存型號。

二、查看內存實物。關機斷電，打開機箱，實地查看插入主板內存插槽中的內存（可將內存拆下觀察，），並兩相對照，以確定其型號。內存外觀區分圖：主要比較針腳數量和金手指上的缺口位置，或者查看內存標簽上的參數。

三、軟體檢測內存：可通過專用工具——魯大師來檢測硬體，以確定內存型號。如下圖所示：內存類型為DDR3，頻率為1600MHZ。

(9)電腦內存型號及參數擴展閱讀：

評價內存條的性能指標一共有四個：

(1) 存儲容量：即一根內存條可以容納的二進制信息量，如常用的168線內存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到8GB。

(2) 存取速度（存儲周期）：即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為存儲周期，半導體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。

(3) 存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。

(4)性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容，性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。

Ⅹ 電腦中內存的主要參數有什麼

電腦內存條主要看品牌、型號、頻率等參數。

1、以台式機內存為例具體比較如下：台式機主要使用DDR內存，其型號從DDR1代到DDR4代，其技術越先進，頻率越高，其運行速度越快。品牌不同，其生產技術和產品質量也有不同。