電腦內存時序

Ⅰ 內存第一第二第三時序哪個重要

第二時序重要。所謂的內存時序英文是」Memory Timing「，是描述內存性能的一項參數，分別是CL（CAS Latency）、tRCD（Row Address to Column Address Delay）、tRP（Row Precharge Time）、tRAS（Row Active Time）。

_話憒媧⒃諛詿嫻_PD中，通常電腦內存時序會標注在內存銘牌上，當然也有些內存品牌不會標注，我們可以在該型號內存參數中查看，或者使用CPU-Z進行查看。

Ⅱ 內存時序模式選擇連接還是自動

自動。內存時序模式是電腦進行儲存的一種模式。
1、連接需要手動保存，而自動可以自動保存，更方便。
2、連接占運行內存是20MB，而自動只佔15MB，因此自動好。

Ⅲ 內存3000時序一般設置多少

C18
內存時序，讓主板自動設置是最好的。
1、內存時序，最好的時序設置是在內存的spd里記錄。主板可以自動讀取。默認就是自動的，不必人工干涉。
2、如果人工設置，把時序設小，可以提升電腦的性能。但也非常容易死機。
3、如果一定想人工設置，那修改的時候要步幅小一點。比如原來是7，可以修改為6，不要太大。而且，一次只修改一個時序，不要4個時序或更多時序一起改，很容易改死機。一次次試驗，找到最佳的時序。

Ⅳ 怎麼查看內存條時序

如果是脫離電腦的單根內存條，只能看內存條標簽上是否印了時序，或者根據完整型號查時序。

如果是安裝在電腦上的內存條，看時序就簡單多了，直接在軟體「CPU-Z」里的「SPD」選項卡里看即可，如下圖，這根內存條工作在xmp 3000mhz頻率時時序是15-16-16-36

Ⅳ 電腦內存基礎必備知識

對於電腦內存，可能大家都覺得內存影響不到游戲幀數，但這其實是非常片面的。舉個例子，在玩絕地求生時，按下TAB鍵會卡頓或者游戲忽然掉幀，那就是內存不足導致的。下面就讓我帶你去看看電腦內存基礎必備知識，希望能幫助到大家!

你會選購內存條嗎?最簡單的內存選配知識 ，

DDR3和DDR4怎麼區別選擇

按照目前來說，如今裝機的主流內存都是以DDR4為主，全新的電腦主機，基本上都不會有選擇組裝DDR3的配置硬體。除非是一些網上選購的電腦主機，可能還有DDR3在組裝，但是可能只有小白的才會入坑。

內存條區別

不過，還有一些用戶在使用的前幾年的電腦，可能還會使用DDR3內存的電腦，在一定程度上，可能還需要升級內存的。這就需要先確認自己電腦主板支持的是DDR3還是DDR4，再根據內存條型號需求進行升級內存條。在通常情況下，主板上DDR4還是DDR3內存，需要看主板插槽類型。在主板上插槽標注1.2V就是DDR4內存，如果標注1.5V就是DDR3內存。

根據個人需求選配內存容量

可以說，內存條的內存容量，是很多人在選配內存條時重要依據。可能也是大眾比較熟悉，也比較容量接受的觀點，在選購時直接說容量，別的不在乎。

目前主流內存容量是8G，對於日常辦公娛樂的用戶來說，8G的內存已經足夠滿足日常需求。當然也會有人追求高性能體驗，也可以根據自己的需求安裝16G的內存條。

DDR4 2400 8G內存條

如果說是專業玩家的平台，至少也需要安裝32G的內存條。但並不是說內存容量越大越好，這就要看個人需求，來選擇合適自己使用內存容量，不能盲目地去選擇。

內存頻率夠用就好

相對來說，相同代數和容量的內存情況下，內存條的頻率越高，性能就越好，電腦系統運行速度就越快。但也不能一味地追求高頻率的內存條，如果說你的主板不支持高內存頻率，那也是一點作用都沒有。

至於內存頻率要選擇多大頻率，個人認為只要夠用就好。在目前的電腦硬體市上，DDR3內存條的主流頻率是1600MHz頻率，DDR4內存條主流是2400MHz頻率。

DDR4 內存條

雖然也有DDR4 3000/4000MHz甚至更高的內存頻率，但是從性能性價比上來講，通常情況下 DDR4 2400/2666Mhz的內存頻率，已足夠滿足日常的電腦使用需求了。可以了解一下

內存知識 ：電腦內存時序是什麼意思呢?內存時序高好還是低好?

電腦內存時序是什麼意思?

內存時序，英文是」Memory Timing「，是描述內存性能的一項參數，一般存儲在內存的SPD中，通常電腦內存時序會標注在內存銘牌上，當然也有些內存品牌不會標注，我們可以在該型號內存參數中查看，或者使用CPU-Z進行查看。

內存時序通常被寫為破折號分隔開的四組數字，例如下圖的內存銘牌上標注的「16-18-18-38」就代表內存時序。當然也有的內存只標注前三個數字的，還有些標注五個數字，即Command rate(命令速率)，通常為2T或1T，也寫作2N、1N。反映的都是內存不同工作環節當中的延遲時間，數值越低意味著性能越好，而真正決定平台性能水平的延遲時間單位是納秒(ns,nanosecond)。

電腦內存時序高好還是低好?

內存時序是描述同步動態隨機存取存儲器性能的四個參數：地址訪問潛伏時間(CL)、行地址到列地址等待時間(TRCD)、行地址預充電時間(TRP)和行地址活動時間(TRAS)，單位為時鍾周期，數值越小代表越好，其中CL值，也就是時序當中首個數字是確切的周期數，CL對內存性能的影響是最明顯的，所以很多產品都會把內存CL值標在產品名上，而後面的三個數字都是最小周期數。

內存時序參數影響隨機存儲存儲器速度的延遲時間，較低的數字通常意味著更快的性能，所以在同代同頻率的情況下，內存時序越小越好，一般情況下大家只需要看內存時序中的第一個數字，也就是CL值，數字越小越好。

如何查看電腦內存的時序?

我們可以下載一款CPU-Z軟體，在內存的選項卡中查看CL、TRCD、TRP、TRAS的四個數值。

內存時序不一樣能兼容不?

現在的主板對不同主頻，不同時序，不同品牌的內存的兼容能力都很強，只要是內存代數相同，內存時序不同是能夠兼容的。

以上就是裝機之家分享的關於電腦內存時序的相關知識，一般來說，我們看內存時序只需要看CL值就可以了，也就是開頭第一組數字，這組數字在同代同頻率下越小越好，希望本文能夠幫助到大家。

科普：內存知多少?內存知識盲區詳解

1、為什麼內存能對游戲幀數造成影響?

這個問題其實非常簡單，我們都知道電腦中的CPU是負責運算和處理的，而內存是用來交換數據的，只要游戲中的數據量較大，那麼內存就會經常出現滿載情況，而滿載就會導致游戲內的幀數大幅度下降，這是非常典型的數據交互不及時所導致的。

2、雙通道內存對游戲性能有哪些影響?

因為雙通道體系的兩個內存控制器是獨立的、具備互補性的智能內存控制器，因此二者能實現彼此間零等待時間，同時運作。兩個內存控制器的這種互補「天性」可讓有效等待時間縮減50%，從而使內存的帶寬翻倍。

所以，使用雙通道內存進行游戲時要比使用單通道內存時的游戲幀數高，這是可以得到肯定的。

3、內存不足時加裝內存需要注意什麼?

如果電腦本身只有單獨一根8G內存，想要將其加裝成16G就需要購買相同頻率的8G內存，在這里需要特別注意，如果兩根內存的頻率不一致，那麼所導致的後果就是電腦只會按照最低頻率的內存運行。

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Ⅵ 內存時序怎麼調

內存時序的調節步驟如下：

1. 在BIOS中打開手動設置。

2. 在BIOS設置中找到「DRAM Timing Selectable」。

3. BIOS設置中可能出現的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，將其值設為「Menual」（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable）。

4. 內存是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是tRAS。
   

5. 預充電後，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活後，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要數據的定址。首先是行地址，然後初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最後一個步驟，也是內存參數中最重要的。

內存時序，一種參數，一般存儲在內存條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。

Ⅶ 內存時序怎麼設置

雖然我從小就對看書感興趣，可是讓我看一本完全不了解的書可是一點都看不下去，學知識也是一樣，自己喜歡的不用別人督促，就能把它學的很好很扎實，自己不喜歡的學科呢，就要逼著自己學，而且效果並不好，興趣是最好的老師，不過正在上學還沒高考的可要認真學習每一門功課，考上大學後再選擇一個自己喜歡的專業。內存時序設置我是看不懂，相信總有人會明白的。

內存時序設置

內存參數的設置正確與否，將極大地影響系統的整體性能。下面我們將針對內存關於時序設置參數逐一解釋，以求能讓大家在內存參數設置中能有清晰的思路，提高電腦系統的性能。

涉及到的參數分別為：

CPC : Command Per Clock

tCL : CAS Latency Control

tRCD : RAS to CAS Delay

tRAS : Min RAS Active Timing

tRP : Row Precharge Timing

tRC : Row Cycle Time

tRFC : Row Refresh Cycle Time

tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)

tWR : Write Recovery Time

……及其他參數的設置

首 先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”(視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable)，如果要調整內存時序，應該先打開 手動設置，之後會自動出現詳細的時序參數列表：

CPC : Command Per Clock

可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的定址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進行)，然後才是L-Bank/行激活與列地址的選 擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行激活命令，單位是時鍾周期。

顯然，CPC越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制晶元組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。

該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。

tCL : CAS Latency Control(tCL)

可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說 是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。

內存是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是 tRAS(Activeto Precharge Delay)，預充電後，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活後，RAS(Row Address Strobe )開始進行需要數據的定址。首先是行地址，然後初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束 就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最後一個步驟，也是內存參數中最重要的。

這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令後要等待多少個時鍾周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要 的時鍾周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同 時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。

該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6晶元可能無法設為3。

tRCD : RAS to CAS Delay

可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鍾周期。在 JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時， 系統將處於最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。

如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。

tRAS : Min RAS Active Timing

可選的設置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

該值就是該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的最後一個參數，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內存行有效至預充電的最短周期”，調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5-10之間。這個參數要根據實際情況而定，並 不是說越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太長，系統會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態。如果tRAS的周期太 短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發傳輸，這樣會引發丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鍾周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鍾周期。為提高系統性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發生內存錯誤 或系統死機，則應該增大tRAS的值。

tRP : Row Precharge Timing(tRP)

可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第3個參數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。

tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激 活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，內存控制器不能順利地完成讀寫操作。對於桌面計算機 來說，推薦預充電參數的值設定為2個時鍾周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鍾周期，這將影響DDR 內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鍾周期。

一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數。

tRC : Row Cycle Time(tRC)

可選的設置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預充電到激活在內的整個過程所需要的最小的時鍾周期數。其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設置該參數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鍾周期後激活新的地址而 等待無謂的延時，而降低性能。然後一旦該值設置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會導致數據丟失和損壞。

因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設置，如果你的內存模塊的tRAS值是7個時鍾周期，而tRP的值為4個時鍾周期，則理想的tRC的值應當設置為11個時鍾周期。

tRFC : Row Refresh Cycle Time

可選的設置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鍾周期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次 發送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設置，17-19是內存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鍾周期。

tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)

可選的設置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。

Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。

延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由於需要一定量的數據，太短的延遲會引起連續數據膨脹。於桌面計算機來說，推薦 tRRD值設定為2個時鍾周期，這是最佳的設置，此時的數據膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鍾周期，這將 影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鍾周期。

tWR : Write Recovery Time

可選的設置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鍾周期。這段必須的時鍾周期用來確保在預 充電發生前，寫緩沖中的數據可以被寫進內存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致數據還未被正確寫入到內存單元中，就發生了預充電 操作，會導致數據的丟失及損壞。

如果你使用的是DDR200和266的內存，建議將tWR值設為2;如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設為3。

tWTR : Write to Read Delay

可選的設置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最後的數據進入讀指令。它設定向DDR內存模塊中的同一個單元中，在最後一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鍾周期。

tWTR值為2在高時鍾頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統穩定性。這種情況下，也使得內存晶元運行於高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以 讓內容模塊運行於比其默認速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1;如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的 值設為1，如果系統不穩定，則改為2。

tREF : Refresh Period

可選的設置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內存模塊的刷新周期。

先請看不同的參數在相同的內存下所對應的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應的准確數據。

1552= 100mhz(?.??s)

2064= 133mhz(?.??s)

2592= 166mhz(?.??s)

3120= 200mhz(?.??s)

---------------------

3632= 100mhz(?.??s)

4128= 133mhz(?.??s)

4672= 166mhz(?.??s)

0064= 200mhz(?.??s)

---------------------

0776= 100mhz(?.??s)

1032= 133mhz(?.??s)

1296= 166mhz(?.??s)

1560= 200mhz(?.??s)

---------------------

1816= 100mhz(?.??s)

2064= 133mhz(?.??s)

2336= 166mhz(?.??s)

0032= 200mhz(?.??s)

---------------------

0388= 100mhz(15.6us)

0516= 133mhz(15.6us)

0648= 166mhz(15.6us)

0780= 200mhz(15.6us)

---------------------

0908= 100mhz(7.8us)

1032= 133mhz(7.8us)

1168= 166mhz(7.8us)

0016= 200mhz(7.8us)

---------------------

1536= 100mhz(3.9us)

2048= 133mhz(3.9us)

2560= 166mhz(3.9us)

3072= 200mhz(3.9us)

---------------------

3684= 100mhz(1.95us)

4196= 133mhz(1.95us)

4708= 166mhz(1.95us)

0128= 200mhz(1.95us)

如果採用Auto選項，主板BIOS將會查詢內存上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的晶元。SPD存儲了內存條的各種相關工作參數等信息，系統會自動根據SPD中的數據中最保守的設置來確定內存的運行參數。如過要追求最優的性能，則需 手動設置刷新周期的參數。一般說來，15.6us適用於基於128兆位內存晶元的內存(即單顆容量為16MB的內存)，而7.8us適用於基於256兆位 內存晶元的內存(即單顆容量為32MB的內存)。注意，如果tREF刷新周期設置不當，將會導致內存單元丟失其數據。

另外根據其他的資料顯示，內存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導致數據的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是 bit。陣列中的每個bit都能被隨機地訪問。但如果不充電，數據只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數據就被重寫 一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO內存每刷新 一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。

tREF和tRAS一樣，不是一個精確的數值。通常15.6us和3.9us都能穩定運行，1.95us會降低內存帶寬。很多玩家發現，如果內存質量優良，當tREF刷新周期設置為3120=200mhz(?.??s)時，會得到最佳的性能/穩定性比。

Ⅷ 內存時序多少好

內存時序，讓主板自動設置是最好的。
1、內存時序，最好的時序設置是在內存的spd里記錄。主板可以自動讀取。默認就是自動的，不必人工干涉。
2、如果人工設置，把時序設小，可以提升電腦的性能。但也非常容易死機。
3、如果一定想人工設置，那修改的時候要步幅小一點。比如原來是7，可以修改為6，不要太大。而且，一次只修改一個時序，不要4個時序或更多時序一起改，很容易改死機。一次次試驗，找到最佳的時序。

Ⅸ 內存時序高會怎麼樣影響電腦性能嗎

內存時序高說明系統的性能較低，延遲大。

內存時序較低的數字通常意味著更快的性能。決定系統性能的最終元素是實際的延遲時間，通常以納秒為單位。

內存時序是描述內存條性能的一種參數，一般存儲在內存條的SPD中，簡稱為CL值，它是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。目前，一般好一些的內存條，在參數中都會標注CL值。

總的來說，時序是決定內存性能的一個參數，但並不是說時序越低，性能就一定越好，它還與內存容量、頻率有關。只能說，在相同容量和頻率下的兩條內存，時序越低，性能就越好。

(9)電腦內存時序擴展閱讀：

內存時序具體含義：

內存時序是描述內存條性能的一種參數，一般存儲在內存條的SPD中。一般數字「A-B-C-D」分別對應的參數是「CL-tRCD-tRP-tRAS」，它們的含義依次為：

1、CL：列定址所需的時鍾周期（表示延遲的長短）

確實是同頻率下，CL值越小內存條性能越好。從DDR1-4隨著內存條的頻率越來越高，CL值也越來越大，但是其真實的CL延遲時間幾乎沒有什麼變化。這說明並不是CL值越大，內存條的CL延遲就越大，內存條就越差。從DDR1-4 CL值越來越大，相反說明CL越大，能上去的頻率越高。

2、tRCD：行定址和列定址時鍾周期的差值。

tRCD值對內存最大頻率影響最大。內存條想要上到一個高的頻率，而如果不能加大電壓和放寬CL值，那麼就只能把tRCD值增大。

現在的DDR4一般的1.2V，想要CL值好看，還想要內存條能超頻到更高，那就加大tRCD咯，還想要燈光效果，那就把時序統統的加大。所以tRCD大不代表內存條差，相反代表內存條可以超到一個很高的頻率。

3、tRP：在下一周期之前，預充電需要的時鍾周期。

雖然tRP的影響會隨著頻繁操作一個bank而加大，但是它的影響也會被bank交叉操作和命令調配所削弱。放寬tRP有利於提高行址激活、關閉的命中率，正確率。放寬tRP可讓內存條的兼容性更好。

4、tRAS：對某行的數據進行存儲時，從操作開始到定址結束需要的總時間周期。

此操作並不會頻繁發生，只有在內存空閑或開始新一個任務的時候才使用它。tRAS值太小有可能導致數據錯誤或丟失，太大的值則會影響內存性能。如果內存條負荷較大，一般可以稍微放寬tRAS值。

參考資料來源：網路--內存時序