電腦內存條一號位三號位

① 電腦主板內存條擺放順序兩條四個槽怎麼放

主板上有3到4個內存插槽（DIMM），根據廠家的規定將它們命名為DIMM1、2、3或4（主板上也有同樣的文字用來標明內存插槽的編號），但北橋晶元內只有1個64位的內存控制器，此時插入多根內存後內存匯流排的位寬還是64位，工作頻率也不會改變，但內存的總容量卻成倍增加了。這種主板上內存插槽緊密的排列在一起，彼此之間的距離也完全相同。

為了兼顧用戶安裝的方便，一般主板廠家會在865/875主板上使用相同顏色的內存插槽來表示A1與B1的位置，而A2與B2內存插槽則採用另外一種顏色，用戶只要將兩根內存插入顏色相同的兩個內存插槽上就可以了。

② 內存條上的數字都代表什麼意思

不同品牌的不相同:你可參考如下資料吧:從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SPDinfo這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。 1、PC66/100 SDRAM內存標注格式 （1）1.0---1.2版本 這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。 （2）1.2b+版本 其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。 2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式 威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。 PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。 3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式 其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。 4、RDRAM 內存標注格式 其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。 5、各廠商內存晶元編號 內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。 由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，因此我們就先來看看它們的內存晶元編號。 （1）HYUNDAI（現代） 現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。 市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。 （2）LGS〔LG Semicon〕 LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。 （3）Kingmax(勝創) Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。 Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。 KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵風金條) 金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍'五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。 金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。 三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。 三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2 [15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP Ⅱ，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。 （6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J 其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類： （A）DRAM -4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3） -15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5 -8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ （B）RAMBUS（時鍾率） -4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS +的含義 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ （7）其它內存晶元編號 NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。 HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。 SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。 TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。 IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10 [15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP Ⅱ，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。 （6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J 其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類： （A）DRAM -4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3） -15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5 -8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ （B）RAMBUS（時鍾率） -4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS +的含義 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ （7）其它內存晶元編號 NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。 HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。 SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。 TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。 IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

③ 電腦的內存條.一三和二四有區別嗎

一般區別不大的，但內存條離CPU越近
那樣線路越短數據到達CPU的時間越短
工作起來效率好點
1和3,2和4組成雙甬道,這樣的組合比1和2或者4組合要快.

④ 為什麼我的電腦內存條只能插第一和第三個卡槽

你的主板是什麼型號的？還有四根內存條的型號一樣的嗎？上次有聽朋友講過內存條的插槽1.3連著然後是2.4連著的。如果幾根內存條的型號一樣的話那很可能是插槽出現問題了。不是專業人士，以上觀點只是猜測！

⑤ 如何看懂內存條的編碼

給你舉個例子啊
DDR 128MB PC2700
SA1C216164ST3K
200437-020 第一行是型號 代表DDR1 128M
第二行是序列號 每根內存的唯一標識號 廠商可以憑這個序列號找到是哪個代加工廠 哪條流水線 哪批元件 甚至經過哪台儀器哪個工人
第三行是出廠編號 代表生產周期

舉例 2

金邦內存晶元編號例如GL2000GP6LC16M84TG-7AMIR0032

其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5VVccCMOS，LC=0.2微米3.3VVddCMOS，V=2.5VVddCMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量=內存基粒容量*基粒數目=16*8=128Mbit，其中16=內存基粒容量；8=基粒數目；M=容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16FBGA，FC=60針11*13FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μBGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3VVddCMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

此答案轉自網路知道

⑥ 如何區分電腦內存條的大小

內存條一般都有標注大小，如果沒有就要看顆粒的編號了，給個你看看：
samsung內存
例：samsungk4h280838b-tcb0
第1位——晶元功能k，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表dram。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為7ns；7b為7.5ns(cl=3)；7c為7.5ns(cl=2)；80為8ns；10為10ns(66mhz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星ddr內存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128mbits（兆數位）×16片/8bits=256mb（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「b」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ecc內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ecc校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ecc內存。

hynix(hyundai)現代
現代內存的含義：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、工作電壓：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、晶元容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、bank數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個bank，是2的冪次關系
7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2
8、晶元內核版本：可以為空白或a、b、c、d等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：l=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a
現代的mbga封裝的顆粒

infineon（英飛凌）
infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128mbits的顆粒和容量為256mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133mhz；
-8——表示該內存的工作頻率是100mhz。
例如：
1條kingston的內存條，採用16片infineon的hyb39s128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128mbits（兆數位）×16片/8=256mb（兆位元組）。
1條ramaxel的內存條，採用8片infineon的hyb39s128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128mbits（兆數位）×8片/8=128mb（兆位元組）。

kingmax、kti
kingmax內存的說明
kingmax內存都是採用tinybga封裝（tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。kingmax內存顆粒有兩種容量：64mbits和128mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空間×4位數據寬度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空間×8位數據寬度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空間×4位數據寬度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空間×8位數據寬度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空間×16位數據寬度。
kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一條kingmax內存條，採用16片ksv884t4a0a-7a的內存顆粒製造，其容量計算為：64mbits（兆數位）×16片/8=128mb（兆位元組）。

micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
mt——micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供電電壓。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——內存顆粒容量為128mbits，計算方法是：16m（地址）×8位數據寬度。
a2——內存內核版本號。
tg——封裝方式，tg即tsop封裝。
-75——內存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
實例：一條micronddr內存條，採用18片編號為mt46v32m4-75的顆粒製造。該內存支持ecc功能。所以每個bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆位元組）。
winbond（華邦）
含義說明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表內存顆粒是由winbond生產
2、代表顯存類型：98為sdram，94為ddrram
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為b和h；
4、代表封裝，h為tsop封裝，b為bga封裝，d為lqfp封裝
5、工作頻率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz

mosel（台灣茂矽）

台灣茂矽科技是台灣一家較大的內存晶元廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為v54c365164vdt45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8mb，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位t45可知顆粒速度為4.5ns

nanya（南亞）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亞科技是全球第六大內存晶元廠商，也是去年台灣內存晶元商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母「s」表示是sdram顯存，6、7位8m表示單顆粒容量8m，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7k表示速度為7ns。

v-data（香港威剛）、a-data（台灣威剛）、vt
內存顆粒編號為vdd8608a8a-6b h0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256m容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周

⑦ 內存條順序應該怎麼插

內存條有正反一說，一般情況下如果插反了是插不進去的。但是如果用力過猛也能強行插進去但是會弄塊主板的插槽，因此安裝內存不需要用很大的力氣，如果感覺插不進去有可能就是插反了，為了防止反插的情況出現，內存上面有一個豁口，這個豁口並不是在中間位置，因此如果內存插反了，豁口無法對上就無法安裝了。

1、首先將需要安裝內存對應的內存插槽兩側的塑膠夾腳（通常也稱為「保險栓」）往外側扳動，使內存條能夠插入，如圖1所示。

⑧ 電腦內存條如何區分

現在市面上的內存分為三代：DDR1、DDR2和DDR3.它們三者之間有什麼區別呢?我們又該怎麼去區分呢?下面就讓我為大家一一介紹吧。

與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。

圖1就是三代內存的全家照，從上到下分別是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢記住它們的樣子，因為後面的內容會提到這幅圖。

速度與容量：成倍提升

前面我們教大家如何計算內存帶寬大小，其實我們在選擇內存和CPU搭配的時候就是看內存帶寬是否大於或者等於CPU的帶寬，這樣才可以滿足CPU的數據傳輸要求。

而我們從帶寬公式(帶寬=位寬×頻率÷8)可以得知，和帶寬關系最緊密的就是頻率。這也是為什麼三代內存等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的帶寬。

不僅速度上有所提升，而且隨著我們應用的提高，我們也需要更大容量的單根內存，DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的內存，而到了DDR2時代，兩根1GB內存就只是標准配置了，內存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今後還會有單根8GB的內存出現。這說明了人們的對內存容量的要求在不斷提高。

延遲值：一代比一代高

任何內存都有一個CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時間一樣。一般而言，內存的延遲值越小，傳輸速度越快。

從DDR、DDR2、DDR3內存身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR內存的延遲值(第一位數值大小最重要，普通用戶關注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代，延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。

功耗：一次又一次降低

電子產品要正常工作，肯定要有電。有電，就需要工作電壓，該電壓是通過金手指從主板上的內存插槽獲取的，內存電壓的高低，也反映了內存工作的實際功耗。一般而言，內存功耗越低，發熱量也越低，工作也更穩定。DDR內存的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3內存時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節省30%～40%的功耗。為此我們也看到，從DDR內存發展到DDR3內存，盡管內存帶寬大幅提升，但功耗反而降低，此時內存的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。

製造工藝：不斷提高

從DDR到DDR2再到DDR3內存，其製造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低。譬如DDR內存顆粒廣泛採用0.13微米製造工藝，而DDR2顆粒採用了0.09微米製造工藝，DDR3顆粒則採用了全新65nm製造工藝(1微米=1000納米)。

總結

內存的知識就講到這里了，總的說來，內存主要扮演著CPU數據倉庫的角色，所以CPU性能的提升，內存的容量和性能都要跟得上，但也不可盲目地把內存容量配得過大。對於大多數用戶來說2GB DDR2 800的內存就足夠了，而偏高端一點的電腦使用總容量為4GB的內存就差不多了。

物理內存和虛擬內存

物理內存就是我們所能見到的內存條。而虛擬內存就是“假”的內存條，它是在硬碟上開辟的一個用於存儲的空間，對於物理內存來說，它是一種擴展和補充。當內存空間緊張時，系統就會將一些暫時用不到的數據轉存到虛擬內存當中。這就像在一個流動倉庫中，管理員把一些滯銷的貨物先移到後備倉庫去，將空間騰出來留給那些經常進出倉庫的貨物使用。

DIMM

DIMM的全稱是Dual Inline Memory Mole(雙列直插內存模組)，我們可以簡單地將它理解為內存插槽的類型。從最初的SDRAM DIMM到DDR DIMM，再到現在的DDR2 DIMM，幾種類型所規定的針腳(即金手指)數量、針腳定義防呆缺口等等都不相同，不能混用。

⑨ 怎麼看內存條型號

查看內存條型號，有三種基本方法：

一、查看說明書：如果是品牌電腦，一般會附帶電腦說明書或詳細的硬體配置清單，可由此確定其內存型號。

二、查看內存實物：關機斷電，打開機箱，實地查看插入主板內存插槽中的內存（可將內存拆下觀察，如下圖所示），並兩相對照，以確定其型號。