ddr5內存電腦性能提升

1. 從技術角度，DDR5內存主要有哪些方面升級

DDR5最直觀的感受就是頻率提高了，也就是DDR4內存2133MHz的起始頻率翻倍到了4800MHz，僅從數值感知來看，DDR5確實是內存技術的一次大飛躍。而從技術上來看，DDR5的內存有4大升級。

4、雙32位通道

引入了雙32位通道的基本原理是把DDR5模塊64位分成了兩部分，每部分是32位，這樣有效提升了內存控制器和數據訪問，同時也能大幅度減少延遲，帶來更好的觀感體驗。

新技術帶來的思考：

DDR5風頭早在去年就嶄露頭角，一直處於風口浪尖，它的到來必定會導致老產品的脫節，新老技術更替換代也正是科技行業的良性循環，同時也是不可避免的，對於業界來說，快速了解和接受新技術是行業持續的基礎。

2. ddr5提升大嗎

品牌型號：華為MateBook D15
系統：Windows 11

DDR5提升大，DDR5是一種計算機內存規格。與DDR4內存相比，DDR5標准性能更強，局孝功耗更低。喚悔其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、匯流排效率提高、增加預取的Bank Group數量以改善性能等。

與DDR4相比，改進的DDR5功能將使實際帶寬提高36%，即使在3200 MT / s（此聲明必須進行測試）和4800 MT / s速度開始，與DDR4-3200相比，實際帶寬將高出87%。與此同時，DDR5最重要的特性之一將是超過16 Gb的單片晶元密度。

DDR5 SDRAM的主要特性是晶元容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預計將帶來4266至6400 MT / s的I / O速度，電源電和臘正壓降至1.1 V，允許的波動范圍為3%（即±0.033V）。每個模塊使用兩個獨立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5將具有改進的命令匯流排效率，因為通道將具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）匯流排，更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。

3. DDR5相比DDR4提升大嗎

性能不高。

相比AMD新一代AM5平台全面支持DDR5，Intel600/700系列晶元組能夠同時支持DDR4和DDR5內存。在相同桌面處理器和其他硬體的加持下，DDR5對比DDR4在游戲上的性能差距並不明顯。

在1080P解析度下，DDR5-6200內存對比DDR4-4000在游戲顫指幀數上有著些許提升，但在2K、4K高解析度下進行游戲，無論3A大作還是競技類網游都幾乎沒有差別，甚至個別吃時序的游戲中還出現了反優化。

DDR5的主要特性：

1、等效頻率提升

大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從「2133MHz」增長至「4800MHz」，隨著當下DDR5內存調參的深入，6400MHz或將成為主流水平。

頻率的提升，使得DDR5內存在理論跑分上有了提升，在讀取測試、寫入檔哪測試，還是復制、延時方面，從跑分結果而言提升較大。

2、DRAM容量提升

內存的DRAM容量也是此行洞碼次DDR5內存技術提升的重點方向，在JEDEC的DDR4規范中，單顆內存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

4. 新一代內存DDR5帶來了哪些改變

從增強現實到人工智慧、雲計算再到物聯網，5G正在燃爆新技術增長，同時也在燃爆它們生成的數據量。數據量越來越大，隨之而來的是存儲和快速訪問需求，DDR5之類的技術變得空前重要。數據中心需要持續存儲、傳送和處理這些數據，推動著高速信令的極限，也給內存帶來了前所未有的測試挑戰。

具體有哪些變化？ DDR5與DDR4差別很大，實際上更像LPDDR4，DDR5帶來9個變化。

1. 速度更快！ 第一個，也是最重要的一個，數據速率達到6.4 Gbps，而DDR4最高只有3.2Gbps。規范中還有一條，在未來幾年內把速度上限推高到8 Gbps以上。通道結構與LPDDR4類似，ECC中也有兩條獨立的40位通道。還有更高的預讀取、更高的突發長度和更高的行列組，這些都激鎮提高了效率，實現了高速模式。

2. DDR5帶來的另一大變化是寫入不再居中。 DQS和DQ之間有固定的偏置，因此我們不能只在示波器上測量DQS和DQ之間的延遲，以推算出是讀還是寫。不再這么容易了！讀寫突發分隔都將變得更加復雜。

3. 新的時鍾抖動測量。 DDR5引入了Rj、Dj和Tj測量，代替了周期和周期間抖動測量。Rj指標在最大數據速率下變得非常緊。優秀的信號完整性對滿懷信心地測量這些參數變得至關重要。

4. 反嵌在更高的DDR5數據速率下將變得非常關鍵。 反嵌是一種移除探頭和內插器負載的技術。它還用來把探測點以虛擬方式從DRAM球移到DRAM晶元，以使反射達到最小。我們想看到Rx看到的是什麼。為成功地創建反嵌濾波器文件或傳遞函數，要求s-par文件，而且數量很多。想法是在SOC封裝、電路板模型、DRAM封裝、內插器、探頭及IO設置中使用s-par模型，比如Tx驅動強度和Rx ODT (如有)，盡可能如實模擬DDR通道。如果沒有s-par模型，還可以使用簡單的傳輸線參數，如傳播延遲和特性阻抗，這通過在示波器屏幕上測量反射來實現。

5. 我們將第一次在接收機中有Rx均衡、4階DFE。 DDR5提高了數據速率，而不用把DQ匯流排遷移到差分信令，也就是說，DQ匯流排仍是單端的，與DDR3/4相同。然而，內存通道有大量的阻抗失配點，由於反射而提高了整體ISI。在數據速率超過4800 Mbps時，DRAM球的數據眼圖預計會閉合。DDR5 DRAM Rx實現了4階DFE，幫助均衡DQ信號，在接收機鎖存數據後張開數據眼圖。此外，RCD的CA Rx還需要DFE，以確保可靠地捕獲信號。

6. DDR5另一個明顯變化是包括一條環回通道 。看一下DDR5的引腳圖，您會發現專用的DQS/DQ環回引腳。其用來實現獨立DRAM RX/TX表徵。環回通道至關重要。事實上，我們正是通過環回通道，才知道接收機真正實冊鉛慧時做了哪些位決策。它是所有不同接收機之間共享的一條單線，由於信號完整性差及其他原因，我們只能發回每第四個位或每第二個位，所以有充足的時間，能夠確保外部接收機或誤碼檢測器能夠以100%准確度校驗片上Rx的質量。

7. DDR5需要使用BERT和/或通用碼型發生器進行獨立DRAM Rx/Tx測試。 這要求一套全新測試，包括電壓和頻率靈敏度及壓力眼圖測試，DDR3/4中是沒有這些測試的。概念很簡單，任何人都應能夠使用標准化JEDEC夾具，根據JEDEC規定的測試程序，執行標准測試，確定DRAM Rx/TX的 健康 狀況。

8. 准確的壓力校準將成為DDR5 RX測試中的大問州答題， 而且要獲得准確的S參數模型，這兩者都必須進行估算並測量，包括所有段。另一個關鍵特性是能夠准確地或很好地猜出測量深度及示波器記錄長度，這樣就不會浪費太多的時間。

9. DRAM Rx/Tx測試將面臨巨大的資料庫管理問題。 數量龐大的s-par文件、反嵌模型和測量結果的自動化和管理，將變成一個噩夢。想像一下，不同廠商多種DIMM配置，以不同速度等級測試80多個引腳，這將非常非常困難。

與DDR3/4相比，DDR5改善了帶寬、密度和通道效率。但數據傳送速率越高，信號速度越快，要求一致性測試、調試和驗證的測量性能越高。泰克 科技 去年7月推出TekExpress DDR5發射機解決方案，其改善了自動化程度，工程師可以克服各種DFE所帶來的分析挑戰，採用用戶自定義採集和DDR5去嵌技術及串列數據鏈路分析(SDLA)技術，滿懷信心地、高效地驗證和調試DDR5設計。了解DDR5固有的差異有助於高效檢驗和調試。