電腦內存時鍾電路

『壹』 主板維修中的時序 時鍾是什麼意思

時序顧名思義，就是信號完成的時間順序，就是哪個信號先產生，哪個信號後產生的時間順序，簡稱時序， 時鍾在電腦主板中是一個電路，時鍾電路的作用是產生不同頻率的時鍾信號提供給主板上個個IC插槽不同的時鍾頻率，南北橋，CPU，內存，顯卡，網卡，音效卡，這些都需要不同的時鍾頻率才可以工作，而時鍾電路就是產生時鍾頻率給這些電路提供不同時鍾頻率讓他們可以工作。。

主板的工作流程 開機， 供電， 時鍾， 復位， BIOS。 亮機。

『貳』 關於電腦配內存的問題。

DDR是一種繼SDRAM後產生的內存技術，DDR，英文原意為「DoubleDataRate」，顧名思義，就是雙數據傳輸模式。之所以稱其為「雙」，也就意味著有「單」，我們日常所使用的SDRAM都是「單數據傳輸模式」，這種內存的特性是在一個內存時鍾周期中，在一個方波上升沿時進行一次操作(讀或寫)，而DDR則引用了一種新的設計，其在一個內存時鍾周期中，在方波上升沿時進行一次操作，在方波的下降沿時也做一次操作，之所以在一個時鍾周期中，DDR則可以完成SDRAM兩個周期才能完成的任務，所以理論上同速率的DDR內存與SDR內存相比，性能要超出一倍，可以簡單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR。

DDR內存不向後兼容SDRAM

DDR內存採用184線結構，DDR內存不向後兼容SDRAM，要求專為DDR設計的主板與系統。

DDR-II內存將是現有DDR-I內存的換代產品，它們的工作時鍾預計將為400MHz或更高（包括現代在內的多家內存商表示不會推出DDR-II 400的內存產品）。從JEDEC組織者闡述的DDR-II標准來看，針對PC等市場的DDR-II內存將擁有400-、533、667MHz等不同的時鍾頻率。

高端的DDR-II內存將擁有800-、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR-II內存將採用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。 DDR-II將採用和DDR-I內存一樣的指令，但是新技術將使DDR-II內存擁有4到8路脈沖的寬度。DDR-II將融入CAS、OCD、ODT等新性能指標和中斷指令。DDR-II標准還提供了4位、8位512MB內存1KB的定址設置，以及16位512MB內存2KB的定址設置。

DDR-II內存標准還包括了4位預取數（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技術的預取數位只有2位。

DDR3的市場導入時間預計為2006年下半，最高數據傳輸速度標准較達到1600Mbps。不過，就具體的設計來看，DDR3與DDR2的基礎架構並沒有本質的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發展所面臨的限制而催生的產物。

由於DDR2的數據傳輸頻率發展到800MHz時，其內核工作頻率已經達到200MHz，因此再向上提升較為困難，這就需要採用新的技術來保證速度的可持續發展性。另一方面，也是由於速度提高的緣故，內存的地址/命令與控制匯流排需要有全新的拓樸結構，而且業界也要求內存要具有更低的能耗，所以，DDR3要滿足的需求就是：

更高的外部數據傳輸率

更先進的地址/命令與控制匯流排的拓樸架構

在保證性能的同時將能耗進一步降低

為了滿足上述要求，DDR3在DDR2的基礎上採用了以下新型設計：

8bit預取設計，DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz

採用點對點的拓樸架構，減輕地址/命令與控制匯流排的負擔

採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。

下面我們通過DDR3與DDR2的對比，來更好的了解這一未來的DDR SDRAM家族的最新成員。

DDR3與DDR2的不同之處

1、邏輯Bank數量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶元的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了准備。

2、封裝（Packages）

DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶元採用78球FBGA封裝，16bit晶元採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

3、突發長度（BL，Burst Length）

由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。

3、定址時序（Timing）

就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。

4、新增功能——重置（Reset）

重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門准備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有的操作，並切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鍾電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。

5、新增功能——ZQ校準

ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之後，將用相應的時鍾周期（在加電與初始化之後用512個時鍾周期，在退出自刷新操作後用256時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

6、參考電壓分成兩個

對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF，在DDR3系統中將分為兩個信號。一個是為命令與地址信號服務的VREFCA，另一個是為數據匯流排服務的VREFDQ，它將有效的提高系統數據匯流排的信噪等級。

7、根據溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）

為了保證所保存的數據不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，為了最大的節省電力，DDR3採用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開始ASR之後，將通過一個內置於DRAM晶元的溫度感測器來控制刷新的頻率，因為刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度感測器則在保證數據不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，並不見得市場上的DDR3內存都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度范圍，一個是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度范圍，比如最高到95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恆定的頻率和電流進行刷新操作。

8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）

這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3內存晶元可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型內存（Mobile DRAM）的設計很相似。

9、點對點連接（P2P，Point-to-Point）

這是為了提高系統性能而進行了重要改動，也是與DDR2系統的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器將只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能一個插槽。因此內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。不過目前有關DDR3內存模組的標准制定工作剛開始，引腳設計還沒有最終確定。

除了以上9點之外，DDR3還在功耗管理，多用途寄存器方面有新的設計，但由於仍入於討論階段，且並不是太重要的功能，在此就不詳細介紹了。下面我們來總結一下DDR3與DDR2之間的對比：

DDR2與DDR3規格對比，業界認為DDR3-800將被限定於高端應用市場，這有點像當今DDR2-400的待遇，預計DDR3在台式機上將以1066MHz的速度起步
從整體的規格上看，DDR3在設計思路上與DDR2的差別並不大，提高傳輸速率的方法仍然是提高預取位數。但是，就像DDR2和DDR的對比一樣，在相同的時鍾頻率下，DDR2與DDR3的數據帶寬是一樣的，只不過DDR3的速度提升潛力更大。所以初期我們不用對DDR3抱以多大的期望，就像當初我們對待DDR2一樣。當然，在能耗控制方面，DDR3顯然要出色得多，因此將可能率先受到移動設備的歡迎，就像最先歡迎DDR2內存的不是台式機，而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也將經歷一個慢熱的過程

『叄』 電腦出現什麼情況是時鍾電路故障

過程？不亮機後就打開機箱拆出主板，安上cpu假負載，首先就測cpu四大供電咯，就測出時鍾和復位電壓時有是無，cpu主供電和pg供電正常，內存供電、時鍾正常，pci的12v、5v，3.3v復位都正常，請教是哪裡出了問題。。。

『肆』 電腦內存條是什麼作用

一、內存的作用與分類

內存是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows98系統、打字軟體、游戲軟體等，一般都是安裝在硬碟等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內存中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的數據存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數據和程序放在內存上。

內存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態隨機存儲器，它的一個主要特徵是斷電後數據會丟失，我們平時說的內存就是指這一種；後者又叫只讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存於主板上ROM中的BIOS程序，然後再由它去調用硬碟中的Windows98或Windows95系統，ROM的一個主要特徵是斷電後數據不會丟失。

二、內存發展簡史

起初，電腦所使用的內存是一塊塊的IC，我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用，一旦某一塊內存IC壞了，必須焊下來才能更換，這實在是太費勁了。後來，電腦設計人員發明了模塊化的條裝內存，每一條上集成了多塊內存IC，相應地，在主板上設計了內存插槽，這樣，內存條就可隨意拆卸了，從此，內存的維修和擴充都變得非常方便。

根據內存條上的引腳多少，我們可以把內存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內存條又稱為單列存儲器模塊SIMM，168線的內存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM。目前30線內存條已經沒有了；前兩年的流行品種是72線的內存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種；目前市場的主流品種是168線內存條，168線內存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，只有基於VX、TX、BX晶元組的主板才支持168線的內存條。

三、內存的性能指標

評價內存條的性能指標一共有四個：

(1) 存儲容量：即一根內存條可以容納的二進制信息量，如目前常用的168線內存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。

(2) 存取速度：即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為存儲周期，半導體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。

(3) 存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。

(4) 性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容，性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。

四、什麼是EDO和SDRAM

前面我們已經按引腳數的多少把內存條分為30、72和168線等幾種，其實，它們在結構和性能上還有著本質的區別。

譬如，72線內存條是一種EDO內存，而現今主流的168線內存條幾乎清一色又都是SDRAM內存；目前，EDO內存的存取速度基本保持在60納秒左右，能夠適應75兆赫茲的外頻，但跑83兆赫茲則有點勉為其難了；而SDRAM內存的存取速度一般能達到10納秒左右，能夠適應100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內存已逐步被SDRAM所取代，至今，幾乎已無人再用EDO來裝機了，只有升級擴充舊電腦內存時還用得著它。

『伍』 時鍾的工作原理

主板時鍾電路工作原理

時鍾電路工作原理：

DC3.5V電源經過二極體和L1（L1可以用0Ω電阻代替）進入分頻器後，分頻器開始工作，和晶體一起產生振盪。在晶體的兩腳均可以看到波形。晶體的兩腳之間的阻值在450－700Ω之間。在它的兩腳各有1V左右的電壓，由分頻器提供。晶體兩腳產生的頻率總和是14.318M。

總頻OSC在分頻器出來後送到PCI槽的B16腳和ISA槽的B30腳（這兩個腳叫OSC測試腳）。也有的還送到南橋，目的是使南橋的頻率更加穩定。在總頻OSC的線上還有電容，總頻線的對地電阻在450－700Ω之間。總頻的時鍾波形幅度一定要大於2V。

如果開機數碼卡上的OSC燈不亮，先查晶體兩腳的電壓和波形。有電壓有波形，在總頻線路正常的情況下，為分頻器壞。若無電壓無波形，在分頻器電源正常的情況下，為分頻器壞；有電壓無波形，為晶體壞。

沒有總頻，南、北橋、CPU、CACHE、I/O、內存上就沒有頻率，有了總頻，南、北橋、內存、CPU、CACHE、I/O上不一定有頻率。總頻一旦正常，可以說明晶體和分頻器基本正常，主要是晶體的振盪電路已經完全正常，反之就不正常。

當分頻產生後，分頻器開始分頻，R2經分頻器過來的頻率送到南橋，在南橋處理過後送到PCI槽的B39腳（PCICLK）和ISA槽的B20腳（SYSCLK），這兩腳叫系統時鍾測試腳。這個測試腳可以反映主板上所有的時鍾是否正常。系統時鍾的波形幅度一定要大於1.5V。

在主板上，RST和CLK都是由南橋處理的。若總頻正常，如果RST和CLK都沒有，在南橋電源正常的情況下，為南橋壞。

主板不開機，RST燈不正常，要先查總頻。如果在數碼卡上有OSC燈和RST燈，沒有CLK燈的話，先查R3輸出的分頻有沒有。若沒有，在線路正常的情況下，一般是分頻器壞。如果CLK的波形幅度不夠，那得先查R3輸出的幅度夠不夠。若不夠，一般為分頻器壞。若夠，查南橋的電壓夠不夠。若夠，南橋壞；不夠，查電源電路。

R1將分頻器分過來的頻率送給CPU的第6腳（在CPU上RST較旁邊，見圖紙），這個腳為CPU時鍾腳。CPU如果沒有時鍾，是絕對不會工作的。CPU的時鍾有可能由北橋提供。如果南橋上有CLK信號而CPU上沒有，就可能是分頻器或南橋壞。

R4為I/O提供頻率。在主板上，時鍾線比AD線要粗一些，並帶有彎曲。頻率發生偏移，是晶體電容所導致的。它的現象是剛開機就死機，運行98出錯，分頻器本身壞了，會導致頻率上不去，和晶體無關。CPU的兩邊為控制處理（位置見圖），控制南橋和分頻器，當頻率發生偏移，會自動調整。

當CACHE短路會引起不開機，開路不會導致不開機故障。如果不讀內存（C1、C6、D3、D4），多為CACHE內部或數據線壞。如果應顯示卻無顯示（2A、0D），一般也是CACHE壞。開機即死機，也是CACHE壞。進入C盤慢或者運行windows死機，也多為CACHE壞．若不進C盤，那一般為TAG或其電路有故障。

『陸』 電腦內存條是不是通用的

不是通用的。

內存條是CPU可通過匯流排定址，並進行讀寫操作的電腦部件。電腦上的內存條是不通用的，選擇內存條的時候，需要查清主板支持的內存條的種類，在電腦上安裝主板支持的內存條。

內存條分為DDR DDR2 DDR3三類，每個電腦的主板支持的種類不一樣。用戶在安裝時，需選擇合適的內存條進行安裝。

(6)電腦內存時鍾電路擴展閱讀：

內存條的性能指標：

1、存儲容量：即一根內存條可以容納的二進制信息量，如常用的168線內存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到8GB。

2、存取速度（存儲周期）：即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為存儲周期，半導體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。

3、存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。

4、性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容，性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。

『柒』 計算機時鍾的工作原理

簡單來說是主板的CMOS電池（紐扣電池）給BIOS供電，

原理是：

時鍾電路工作原理：3.5電源經過二極體和電感進入分頻器後，分頻器開始工作，和晶體一起產生振盪，在晶體的兩腳均可以看到波形。晶體的兩腳之間的阻值在450---700歐之間。在它的兩腳各有1V左右的電壓，由分頻器提供。晶體兩腳常生的頻率總和是14.318M。
總頻（OSC）在分頻器出來後送到PCI槽的B16腳和ISA的B30腳。這兩腳叫OSC測試腳。也有的還送到南橋，目的是使南橋的頻率更加穩定。在總頻OSC線上還電容。總頻線的對地阻值在450---700歐之間，總頻時鍾波形幅度一定要大於2V電平。如果開機數碼卡上的OSC燈不亮，先查晶體兩腳的電壓和波形；有電壓有波形，在總頻線路正常的情況下，為分頻器壞；無電壓無波形，在分頻器電源正常情況下，為分頻器壞；有電壓無波形，為晶體壞。
沒有總頻，南、北橋、CPU、CACHE、I/O、內存上就沒有頻率。有了總頻，也不一定有頻率。總頻一定正常，可以說明晶體和分頻器基本上正常，主要是晶體的振盪電路已經完全正常，反之就不正常。
當總頻產生後，分頻器開始分頻，R2將分頻器分過來的頻率送到南橋，在南橋處理過後送到PCI槽B8和ISA的B20腳，這兩腳叫系統測試腳，這個測試腳可以反映主板上所有的時鍾是否正常。系統時鍾的波形幅度一定要大於1.5V，這兩腳的阻值在450---700歐之間，由南橋提供。
在主板上RESET和CLK者是南橋處理的，在總頻正常下，如果RESET和CLK都沒有，在南橋電源正常情況下，為南橋壞。主板不開機，RESET不正常，先查總頻。在主板上，時鍾線比AD線要粗一些，並帶有彎曲。
檢測方法:
1.CMOS供電壓是否正常
2.14.318晶體是否起振