电脑内存时序

Ⅰ 内存第一第二第三时序哪个重要

第二时序重要。所谓的内存时序英文是”Memory Timing“，是描述内存性能的一项参数，分别是CL（CAS Latency）、tRCD（Row Address to Column Address Delay）、tRP（Row Precharge Time）、tRAS（Row Active Time）。

_话愦娲⒃谀诖娴_PD中，通常电脑内存时序会标注在内存铭牌上，当然也有些内存品牌不会标注，我们可以在该型号内存参数中查看，或者使用CPU-Z进行查看。

Ⅱ 内存时序模式选择连接还是自动

自动。内存时序模式是电脑进行储存的一种模式。
1、连接需要手动保存，而自动可以自动保存，更方便。
2、连接占运行内存是20MB，而自动只占15MB，因此自动好。

Ⅲ 内存3000时序一般设置多少

C18
内存时序，让主板自动设置是最好的。
1、内存时序，最好的时序设置是在内存的spd里记录。主板可以自动读取。默认就是自动的，不必人工干涉。
2、如果人工设置，把时序设小，可以提升电脑的性能。但也非常容易死机。
3、如果一定想人工设置，那修改的时候要步幅小一点。比如原来是7，可以修改为6，不要太大。而且，一次只修改一个时序，不要4个时序或更多时序一起改，很容易改死机。一次次试验，找到最佳的时序。

Ⅳ 怎么查看内存条时序

如果是脱离电脑的单根内存条，只能看内存条标签上是否印了时序，或者根据完整型号查时序。

如果是安装在电脑上的内存条，看时序就简单多了，直接在软件“CPU-Z”里的“SPD”选项卡里看即可，如下图，这根内存条工作在xmp 3000mhz频率时时序是15-16-16-36

Ⅳ 电脑内存基础必备知识

对于电脑内存，可能大家都觉得内存影响不到游戏帧数，但这其实是非常片面的。举个例子，在玩绝地求生时，按下TAB键会卡顿或者游戏忽然掉帧，那就是内存不足导致的。下面就让我带你去看看电脑内存基础必备知识，希望能帮助到大家!

你会选购内存条吗?最简单的内存选配知识 ，

DDR3和DDR4怎么区别选择

按照目前来说，如今装机的主流内存都是以DDR4为主，全新的电脑主机，基本上都不会有选择组装DDR3的配置硬件。除非是一些网上选购的电脑主机，可能还有DDR3在组装，但是可能只有小白的才会入坑。

内存条区别

不过，还有一些用户在使用的前几年的电脑，可能还会使用DDR3内存的电脑，在一定程度上，可能还需要升级内存的。这就需要先确认自己电脑主板支持的是DDR3还是DDR4，再根据内存条型号需求进行升级内存条。在通常情况下，主板上DDR4还是DDR3内存，需要看主板插槽类型。在主板上插槽标注1.2V就是DDR4内存，如果标注1.5V就是DDR3内存。

根据个人需求选配内存容量

可以说，内存条的内存容量，是很多人在选配内存条时重要依据。可能也是大众比较熟悉，也比较容量接受的观点，在选购时直接说容量，别的不在乎。

目前主流内存容量是8G，对于日常办公娱乐的用户来说，8G的内存已经足够满足日常需求。当然也会有人追求高性能体验，也可以根据自己的需求安装16G的内存条。

DDR4 2400 8G内存条

如果说是专业玩家的平台，至少也需要安装32G的内存条。但并不是说内存容量越大越好，这就要看个人需求，来选择合适自己使用内存容量，不能盲目地去选择。

内存频率够用就好

相对来说，相同代数和容量的内存情况下，内存条的频率越高，性能就越好，电脑系统运行速度就越快。但也不能一味地追求高频率的内存条，如果说你的主板不支持高内存频率，那也是一点作用都没有。

至于内存频率要选择多大频率，个人认为只要够用就好。在目前的电脑硬件市上，DDR3内存条的主流频率是1600MHz频率，DDR4内存条主流是2400MHz频率。

DDR4 内存条

虽然也有DDR4 3000/4000MHz甚至更高的内存频率，但是从性能性价比上来讲，通常情况下 DDR4 2400/2666Mhz的内存频率，已足够满足日常的电脑使用需求了。可以了解一下

内存知识 ：电脑内存时序是什么意思呢?内存时序高好还是低好?

电脑内存时序是什么意思?

内存时序，英文是”Memory Timing“，是描述内存性能的一项参数，一般存储在内存的SPD中，通常电脑内存时序会标注在内存铭牌上，当然也有些内存品牌不会标注，我们可以在该型号内存参数中查看，或者使用CPU-Z进行查看。

内存时序通常被写为破折号分隔开的四组数字，例如下图的内存铭牌上标注的“16-18-18-38”就代表内存时序。当然也有的内存只标注前三个数字的，还有些标注五个数字，即Command rate(命令速率)，通常为2T或1T，也写作2N、1N。反映的都是内存不同工作环节当中的延迟时间，数值越低意味着性能越好，而真正决定平台性能水平的延迟时间单位是纳秒(ns,nanosecond)。

电脑内存时序高好还是低好?

内存时序是描述同步动态随机存取存储器性能的四个参数：地址访问潜伏时间(CL)、行地址到列地址等待时间(TRCD)、行地址预充电时间(TRP)和行地址活动时间(TRAS)，单位为时钟周期，数值越小代表越好，其中CL值，也就是时序当中首个数字是确切的周期数，CL对内存性能的影响是最明显的，所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上，而后面的三个数字都是最小周期数。

内存时序参数影响随机存储存储器速度的延迟时间，较低的数字通常意味着更快的性能，所以在同代同频率的情况下，内存时序越小越好，一般情况下大家只需要看内存时序中的第一个数字，也就是CL值，数字越小越好。

如何查看电脑内存的时序?

我们可以下载一款CPU-Z软件，在内存的选项卡中查看CL、TRCD、TRP、TRAS的四个数值。

内存时序不一样能兼容不?

现在的主板对不同主频，不同时序，不同品牌的内存的兼容能力都很强，只要是内存代数相同，内存时序不同是能够兼容的。

以上就是装机之家分享的关于电脑内存时序的相关知识，一般来说，我们看内存时序只需要看CL值就可以了，也就是开头第一组数字，这组数字在同代同频率下越小越好，希望本文能够帮助到大家。

科普：内存知多少?内存知识盲区详解

1、为什么内存能对游戏帧数造成影响?

这个问题其实非常简单，我们都知道电脑中的CPU是负责运算和处理的，而内存是用来交换数据的，只要游戏中的数据量较大，那么内存就会经常出现满载情况，而满载就会导致游戏内的帧数大幅度下降，这是非常典型的数据交互不及时所导致的。

2、双通道内存对游戏性能有哪些影响?

因为双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器，因此二者能实现彼此间零等待时间，同时运作。两个内存控制器的这种互补“天性”可让有效等待时间缩减50%，从而使内存的带宽翻倍。

所以，使用双通道内存进行游戏时要比使用单通道内存时的游戏帧数高，这是可以得到肯定的。

3、内存不足时加装内存需要注意什么?

如果电脑本身只有单独一根8G内存，想要将其加装成16G就需要购买相同频率的8G内存，在这里需要特别注意，如果两根内存的频率不一致，那么所导致的后果就是电脑只会按照最低频率的内存运行。

电脑内存基础必备知识相关 文章 ：

★ 电脑内存基础知识大全

★ 电脑内存实用基础知识

★ 电脑必备的基础知识大全

★ 【电脑硬件知识】:新手必备的四大电脑硬件基础常识

★ 电脑必备知识大全

★ 工作必备的电脑基础知识

★ 生活常用电脑入门必备知识大全

★ 操作系统基础必备知识

★ 关于电脑知识大全菜鸟必备

★ 电脑基础常识和必备技巧大全

Ⅵ 内存时序怎么调

内存时序的调节步骤如下：

1. 在BIOS中打开手动设置。

2. 在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。

3. BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。

4. 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。
   

5. 预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

Ⅶ 内存时序怎么设置

虽然我从小就对看书感兴趣，可是让我看一本完全不了解的书可是一点都看不下去，学知识也是一样，自己喜欢的不用别人督促，就能把它学的很好很扎实，自己不喜欢的学科呢，就要逼着自己学，而且效果并不好，兴趣是最好的老师，不过正在上学还没高考的可要认真学习每一门功课，考上大学后再选择一个自己喜欢的专业。内存时序设置我是看不懂，相信总有人会明白的。

内存时序设置

内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。

涉及到的参数分别为：

CPC : Command Per Clock

tCL : CAS Latency Control

tRCD : RAS to CAS Delay

tRAS : Min RAS Active Timing

tRP : Row Precharge Timing

tRC : Row Cycle Time

tRFC : Row Refresh Cycle Time

tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)

tWR : Write Recovery Time

……及其他参数的设置

首 先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable)，如果要调整内存时序，应该先打开 手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：

CPC : Command Per Clock

可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。

tCL : CAS Latency Control(tCL)

可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说 是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是 tRAS(Activeto Precharge Delay)，预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束 就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要 的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同 时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

tRCD : RAS to CAS Delay

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时， 系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。

如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

tRAS : Min RAS Active Timing

可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5-10之间。这个参数要根据实际情况而定，并 不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太 短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误 或系统死机，则应该增大tRAS的值。

tRP : Row Precharge Timing(tRP)

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激 活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机 来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR 内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。

一般说来，tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。

tRC : Row Cycle Time(tRC)

可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而 等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。

因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。

tRFC : Row Refresh Cycle Time

可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次 发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)

可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。

Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐 tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将 影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。

tWR : Write Recovery Time

可选的设置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预 充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电 操作，会导致数据的丢失及损坏。

如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2;如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。

tWTR : Write to Read Delay

可选的设置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以 让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1;如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的 值设为1，如果系统不稳定，则改为2。

tREF : Refresh Period

可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。

先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。

1552= 100mhz(?.??s)

2064= 133mhz(?.??s)

2592= 166mhz(?.??s)

3120= 200mhz(?.??s)

---------------------

3632= 100mhz(?.??s)

4128= 133mhz(?.??s)

4672= 166mhz(?.??s)

0064= 200mhz(?.??s)

---------------------

0776= 100mhz(?.??s)

1032= 133mhz(?.??s)

1296= 166mhz(?.??s)

1560= 200mhz(?.??s)

---------------------

1816= 100mhz(?.??s)

2064= 133mhz(?.??s)

2336= 166mhz(?.??s)

0032= 200mhz(?.??s)

---------------------

0388= 100mhz(15.6us)

0516= 133mhz(15.6us)

0648= 166mhz(15.6us)

0780= 200mhz(15.6us)

---------------------

0908= 100mhz(7.8us)

1032= 133mhz(7.8us)

1168= 166mhz(7.8us)

0016= 200mhz(7.8us)

---------------------

1536= 100mhz(3.9us)

2048= 133mhz(3.9us)

2560= 166mhz(3.9us)

3072= 200mhz(3.9us)

---------------------

3684= 100mhz(1.95us)

4196= 133mhz(1.95us)

4708= 166mhz(1.95us)

0128= 200mhz(1.95us)

如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需 手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存(即单颗容量为16MB的内存)，而7.8us适用于基于256兆位 内存芯片的内存(即单颗容量为32MB的内存)。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。

另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是 bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写 一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新 一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。

tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能/稳定性比。

Ⅷ 内存时序多少好

内存时序，让主板自动设置是最好的。
1、内存时序，最好的时序设置是在内存的spd里记录。主板可以自动读取。默认就是自动的，不必人工干涉。
2、如果人工设置，把时序设小，可以提升电脑的性能。但也非常容易死机。
3、如果一定想人工设置，那修改的时候要步幅小一点。比如原来是7，可以修改为6，不要太大。而且，一次只修改一个时序，不要4个时序或更多时序一起改，很容易改死机。一次次试验，找到最佳的时序。

Ⅸ 内存时序高会怎么样影响电脑性能吗

内存时序高说明系统的性能较低，延迟大。

内存时序较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，简称为CL值，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。目前，一般好一些的内存条，在参数中都会标注CL值。

总的来说，时序是决定内存性能的一个参数，但并不是说时序越低，性能就一定越好，它还与内存容量、频率有关。只能说，在相同容量和频率下的两条内存，时序越低，性能就越好。

(9)电脑内存时序扩展阅读：

内存时序具体含义：

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：

1、CL：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长短）

确实是同频率下，CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高，CL值也越来越大，但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大，内存条的CL延迟就越大，内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。

2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值。

tRCD值对内存最大频率影响最大。内存条想要上到一个高的频率，而如果不能加大电压和放宽CL值，那么就只能把tRCD值增大。

现在的DDR4一般的1.2V，想要CL值好看，还想要内存条能超频到更高，那就加大tRCD咯，还想要灯光效果，那就把时序统统的加大。所以tRCD大不代表内存条差，相反代表内存条可以超到一个很高的频率。

3、tRP：在下一周期之前，预充电需要的时钟周期。

虽然tRP的影响会随着频繁操作一个bank而加大，但是它的影响也会被bank交叉操作和命令调配所削弱。放宽tRP有利于提高行址激活、关闭的命中率，正确率。放宽tRP可让内存条的兼容性更好。

4、tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。

此操作并不会频繁发生，只有在内存空闲或开始新一个任务的时候才使用它。tRAS值太小有可能导致数据错误或丢失，太大的值则会影响内存性能。如果内存条负荷较大，一般可以稍微放宽tRAS值。

参考资料来源：网络--内存时序