电脑内存条一号位三号位

① 电脑主板内存条摆放顺序两条四个槽怎么放

主板上有3到4个内存插槽（DIMM），根据厂家的规定将它们命名为DIMM1、2、3或4（主板上也有同样的文字用来标明内存插槽的编号），但北桥芯片内只有1个64位的内存控制器，此时插入多根内存后内存总线的位宽还是64位，工作频率也不会改变，但内存的总容量却成倍增加了。这种主板上内存插槽紧密的排列在一起，彼此之间的距离也完全相同。

为了兼顾用户安装的方便，一般主板厂家会在865/875主板上使用相同颜色的内存插槽来表示A1与B1的位置，而A2与B2内存插槽则采用另外一种颜色，用户只要将两根内存插入颜色相同的两个内存插槽上就可以了。

② 内存条上的数字都代表什么意思

不同品牌的不相同:你可参考如下资料吧:从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。 1、PC66/100 SDRAM内存标注格式 （1）1.0---1.2版本 这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 （2）1.2b+版本 其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式 威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。 PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。 3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式 其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。 4、RDRAM 内存标注格式 其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。 5、各厂商内存芯片编号 内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。 由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。 （1）HYUNDAI（现代） 现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。 市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。 （2）LGS〔LG Semicon〕 LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。 （3）Kingmax(胜创) Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。 Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。 KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。 金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。 三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。 三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2 [15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP Ⅱ，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。 （6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J 其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度*宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类： （A）DRAM -4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3） -15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=2.5 -8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ （B）RAMBUS（时钟率） -4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS +的含义 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ （7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。 IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10 [15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP Ⅱ，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。 （6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J 其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度*宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类： （A）DRAM -4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3） -15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=2.5 -8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ （B）RAMBUS（时钟率） -4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS +的含义 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ （7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。 IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

③ 电脑的内存条.一三和二四有区别吗

一般区别不大的，但内存条离CPU越近
那样线路越短数据到达CPU的时间越短
工作起来效率好点
1和3,2和4组成双甬道,这样的组合比1和2或者4组合要快.

④ 为什么我的电脑内存条只能插第一和第三个卡槽

你的主板是什么型号的？还有四根内存条的型号一样的吗？上次有听朋友讲过内存条的插槽1.3连着然后是2.4连着的。如果几根内存条的型号一样的话那很可能是插槽出现问题了。不是专业人士，以上观点只是猜测！

⑤ 如何看懂内存条的编码

给你举个例子啊
DDR 128MB PC2700
SA1C216164ST3K
200437-020 第一行是型号 代表DDR1 128M
第二行是序列号 每根内存的唯一标识号 厂商可以凭这个序列号找到是哪个代加工厂 哪条流水线 哪批元件 甚至经过哪台仪器哪个工人
第三行是出厂编号 代表生产周期

举例 2

金邦内存芯片编号例如GL2000GP6LC16M84TG-7AMIR0032

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5VVccCMOS，LC=0.2微米3.3VVddCMOS，V=2.5VVddCMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量=内存基粒容量*基粒数目=16*8=128Mbit，其中16=内存基粒容量；8=基粒数目；M=容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μBGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3VVddCMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

此答案转自网络知道

⑥ 如何区分电脑内存条的大小

内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：
samsung内存
例：samsungk4h280838b-tcb0
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

hynix(hyundai)现代
现代内存的含义：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系
7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2
8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a
现代的mbga封装的颗粒

infineon（英飞凌）
infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；
-8——表示该内存的工作频率是100mhz。
例如：
1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。
1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。

kingmax、kti
kingmax内存的说明
kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64mbits和128mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。
kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。

micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
mt——micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。
a2——内存内核版本号。
tg——封装方式，tg即tsop封装。
-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每个bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。
winbond（华邦）
含义说明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表内存颗粒是由winbond生产
2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；
4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装
5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz

mosel（台湾茂矽）

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns

nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。

v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt
内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周

⑦ 内存条顺序应该怎么插

内存条有正反一说，一般情况下如果插反了是插不进去的。但是如果用力过猛也能强行插进去但是会弄块主板的插槽，因此安装内存不需要用很大的力气，如果感觉插不进去有可能就是插反了，为了防止反插的情况出现，内存上面有一个豁口，这个豁口并不是在中间位置，因此如果内存插反了，豁口无法对上就无法安装了。

1、首先将需要安装内存对应的内存插槽两侧的塑胶夹脚（通常也称为“保险栓”）往外侧扳动，使内存条能够插入，如图1所示。

⑧ 电脑内存条如何区分

现在市面上的内存分为三代：DDR1、DDR2和DDR3.它们三者之间有什么区别呢?我们又该怎么去区分呢?下面就让我为大家一一介绍吧。

与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。

图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。

速度与容量：成倍提升

前面我们教大家如何计算内存带宽大小，其实我们在选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽，这样才可以满足CPU的数据传输要求。

而我们从带宽公式(带宽=位宽×频率÷8)可以得知，和带宽关系最紧密的就是频率。这也是为什么三代内存等效频率一升再升的原因之一，其目的就是为了满足CPU的带宽。

不仅速度上有所提升，而且随着我们应用的提高，我们也需要更大容量的单根内存，DDR时代卖得最火的是512MB和1GB的内存，而到了DDR2时代，两根1GB内存就只是标准配置了，内存容量为4GB的电脑也逐渐多了起来。甚至在今后还会有单根8GB的内存出现。这说明了人们的对内存容量的要求在不断提高。

延迟值：一代比一代高

任何内存都有一个CAS延迟值，这就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的时间一样。一般而言，内存的延迟值越小，传输速度越快。

从DDR、DDR2、DDR3内存身上看到，虽然它们的传输速度越来越快，频率越来越高，容量也越来越大，但延迟值却提高了，譬如DDR内存的延迟值(第一位数值大小最重要，普通用户关注第一位延迟值就可以了)为1.5、2、2.5、3;而到了DDR2时代，延迟值提升到了3、4、5、6;到了DDR3时代，延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。

功耗：一次又一次降低

电子产品要正常工作，肯定要有电。有电，就需要工作电压，该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的，内存电压的高低，也反映了内存工作的实际功耗。一般而言，内存功耗越低，发热量也越低，工作也更稳定。DDR内存的工作电压为2.5V，其工作功耗在10W左右;而到了DDR2时代，工作电压从2.5V降至1.8V;到了DDR3内存时代，工作电压从1.8V降至1.5V，相比DDR2可以节省30%～40%的功耗。为此我们也看到，从DDR内存发展到DDR3内存，尽管内存带宽大幅提升，但功耗反而降低，此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。

制造工艺：不断提高

从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高的工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低。譬如DDR内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺，而DDR2颗粒采用了0.09微米制造工艺，DDR3颗粒则采用了全新65nm制造工艺(1微米=1000纳米)。

总结

内存的知识就讲到这里了，总的说来，内存主要扮演着CPU数据仓库的角色，所以CPU性能的提升，内存的容量和性能都要跟得上，但也不可盲目地把内存容量配得过大。对于大多数用户来说2GB DDR2 800的内存就足够了，而偏高端一点的电脑使用总容量为4GB的内存就差不多了。

物理内存和虚拟内存

物理内存就是我们所能见到的内存条。而虚拟内存就是“假”的内存条，它是在硬盘上开辟的一个用于存储的空间，对于物理内存来说，它是一种扩展和补充。当内存空间紧张时，系统就会将一些暂时用不到的数据转存到虚拟内存当中。这就像在一个流动仓库中，管理员把一些滞销的货物先移到后备仓库去，将空间腾出来留给那些经常进出仓库的货物使用。

DIMM

DIMM的全称是Dual Inline Memory Mole(双列直插内存模组)，我们可以简单地将它理解为内存插槽的类型。从最初的SDRAM DIMM到DDR DIMM，再到现在的DDR2 DIMM，几种类型所规定的针脚(即金手指)数量、针脚定义防呆缺口等等都不相同，不能混用。

⑨ 怎么看内存条型号

查看内存条型号，有三种基本方法：

一、查看说明书：如果是品牌电脑，一般会附带电脑说明书或详细的硬件配置清单，可由此确定其内存型号。

二、查看内存实物：关机断电，打开机箱，实地查看插入主板内存插槽中的内存（可将内存拆下观察，如下图所示），并两相对照，以确定其型号。