A. 台式计算机DDR4内存条一般采用什么接口
DDR4内存可以在普通电脑上使用吗?DDR4是第四代内存,随着电脑DDR4内存开始上市,有不少网友问到:DDR4内存可以用在普通电脑上吗?简而言之,就是以前买的旧电脑或者现在用的普通电脑能升级DDR4内存吗?升级后会出现什么问题吗?针对这个问题,下面学习啦小编就为大家介绍一下具体的内容吧,欢迎大家参考和学习。
DDR4内存可以用在普通电脑上吗?
内存是什么?
内存(Memory)也被称为内存储器,其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据,以及与硬盘等外部存储器交换的数据。内存是计算机中重要的部件之一,它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的,因此内存的性能对计算机的影响非常大。
DDR4内存可以用在普通电脑上吗?
目前市面上绝大多数电脑配备的都是DDR3内存,内存主频大多为1333Mhz或16000Mhz,而DDR4内存作为最新四代内存产品,最大的亮点在于频率和带宽得以提升,频率基本都达到了2133Mhz以上,速度更快,而功耗更低。
DDR4内存主频高达3000Mhz
不过,并不是所有的电脑都支持DDR4内存,它不仅需要CPU对DDR4内存的支持,并且主板也需要支持DDR4内存。简单来说,电脑如果要使用DDR4内存,主板和CPU都必须支持DDR4内存。
在目前DIY电脑中,只有Intel最新Skylake六代处理器和B150、Z170新主板支持DDR4内存,很明显,很多普通电脑用的都是四代酷睿处理器和版本更低的主板,不支持DDR4内存。
可以这么说,目前绝大多数普通电脑都不支持DDR4内存,如果想要体验DDR4内存,需要同时升级主板和处理器或者购买六代Skylake平台电脑,这样就可以体验DDR4内存了。
编后语:
随着Skylake六代处理器与配套的主板加入了对DDR4内存的支持,今后新装Skylake平台电脑都可以搭载新一代DDR4内存,往下兼容DDR3内存。对于一些老电脑用户来说,要体验DDR4内存,需要更换新CPU和主板,花费不菲,加之DDR4内存相比DDR3内存,速度提升也不是特别大,对于老电脑用户,就没有必要去款CPU或主板来体验DDR4内存了,如果真想体验,倒不如新装机。
以上就是学习啦小编为大家带来的DDR4内存可不可以在普通电脑上使用的问题,希望可以帮助到大家。
看颗粒就行了 5ns就是400的 6ns就是333 7.5的就是266 现代的则不同了 举个例子: hynix ddr sdram颗粒编号: hy xx x xx xx x x x x x x x - xx x 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个ddr sdram颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下: 1. hy是hynix的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 2. 内存芯片类型:(5d=ddr sdram) 3. 处理工艺及供电:(v:vdd=3.3v & vddq=2.5v;u:vdd=2.5v & vddq=2.5v;w:vdd=2.5v & vddq=1.8v;s:vdd=1.8v & vddq=1.8v) 4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64m 4k刷新;66:64m 2k刷新;28:128m 4k刷新;56:256m 8k刷新;57:256m 4k刷新;12:512m 8k刷新;1g:1g 8k刷新) 5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片) 6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank) 7. 接口类型:(1=sstl_3;2=sstl_2;3=sstl_18) 8. 内核代号:(空白=第1代;a=第2代;b=第3代;c=第4代) 9. 能源消耗:(空白=普通;l=低功耗型) 10.封装类型:(t=tsop;q=lofp;f=fbga;fc=fbga(utc:8x13mm)) 11.封装堆栈:(空白=普通;s=hynix;k=m&t;j=其它;m=mcp(hynix);mu=mcp(utc)) 12.封装原料:(空白=普通;p=铅;h=卤素;r=铅+卤素) 13. 速度:(d43=ddr400 3-3-3;d4=ddr400 3-4-4;j=ddr333;m=ddr333 2-2-2;k=ddr266a;h=ddr266b;l=ddr200) 14.工作温度:(i=工业常温(-40 - 85度);e=扩展温度(-25 - 85度)) 记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代ddr sdram内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,这款内存实际的最高工作状态是多少。 另外我补充几点: 不知楼主的配置如何,各种主板配置内存不一样。 1、如果是socket754平台,最好不要使用3条ddr400内存,不然会降到ddr333,这是受限于socket754处理器内存控制器的设计。 2、如果是socket939平台,最好不要用四条,如果用了,amd平台中“1t command”不能打开,从而大大降低性能。 3、如果是i915p/pl和i865pe平台,除了品牌、频率、颗粒封装要相同外,建议全部选用单面或全用双面,不要单双混用,这其实适合所有主板。 4、有些主板上的内存插槽有两种颜色,同一种色组成一个双通道,装内存时要注意。
B. 电脑主机内存条在哪 (图)
电脑主机的内存条在电脑主板的内存条卡槽里边(内存条卡槽一般都是平行并且最长的两个卡槽,位于主板CPU的旁边,并且两头有用来取出内存条时按下去的槽卡)
(2)台式电脑内存供电引脚扩展阅读
电脑内存条的作用
CPU在工作即处理问题时要从硬盘调用数据存放在内存条内,然后再从内存中读取数据供自己使用,简单的说内存是电脑的一个缓冲区
电脑将读取的信息流首先放在临时的存储空间内存里即内存条,CPU与内存之间进行数据交换的速度是最快的,所有CPU要处理的数据会先从硬盘里提出来暂时放在内存里,CPU处理的时候需要的数据会直接从内存寻找
内存只是暂时(临时)用来放数据的,断电后内存里的东西就会消失,所以有什么需要留下来的都得保存起来放硬盘里。
C. 台式机内存条正反怎么样放
台式机 内存条也有正反,那么要怎么样去放呢?下面由我给你做出详细的台式机内存条正反放法介绍!希望对你有帮助!
台式机内存条正反放法介绍一:
内存条直接插上去就可以了。
在内存条的金手指上有一个缺口,对应内存插槽内的一个隔断,对准了插进去就行。
如果插反了,不使用暴力是插不下去的。
台式机内存条正反放法介绍二:
内存条下面凹槽对应主板插槽上的突起的地方,反着是插不进去的。
内存是电脑必不可少的组成部分,CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存,内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存,CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。
台式机内存条正反放法介绍三:
内存条有防呆设计,仔细看看内存插槽的防呆口和内存的防呆口,对应的插进去就OK了。 另:如果防呆口没有对应,是插不上内存的,这时别使劲插,有可能损坏内存或者插槽。
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内存条作用介绍
内存是电脑(PC机、单片机)必不可少的组成部分。与可有可无的外存不同,内存是以总线方式进行读写操作的部件;内存决非仅仅是起数据仓库的作用。除少量 操作系统 中必不可少的程序长驻内存外,我们平常使用的程序,如Windows、Linux等系统软件,包括打字软件、游戏软件等在内的应用软件,虽然把包括程序代码在内的大量数据都放在磁带、磁盘、光盘、移动盘等外存设备上,但外存中任何数据只有调入内存中才能真正使用。电脑上任何一种输入(来自外存、键盘、鼠标、麦克风、扫描仪,等等)和任何一种输出(显示、打印、音像、写入外存,等等)无一不是通过内存才可以进行。
内存的分类
DDR内存条
内存分为DRAM和ROM两种,前者又叫动态随机存储器,它的一个主要特征是断电后数据会丢失,我们平时说的内存就是指这一种;后者又叫只读存储器,我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的 BIOS 程序,然后再由它去调用硬盘中的Windows,ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
根据内存条上的引脚多少,我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM,(SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构,)168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。30线内存条已经没有了;前两年的流行品种是72线的内存条,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种;市场的主流品种是168线内存条,168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种,一般的电脑插一条就OK了,不过,只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。
EDO和SDRAM
前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种,其实,它们在结构和性能上还有着本质的区别。
内存的安装详解
譬如,72线内存条是一种EDO内存,而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM内存;EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右,能够适应75兆赫兹的外频,但跑83兆赫兹则有点勉为其难了;而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右,能够适应100兆赫兹以上的外频。所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代,至今,几乎已无人再用EDO来装机了,只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。
其实,EDO内存被SDRAM所取代有其必然性,因为,市场上主流CPU的主频已高达2G赫兹,未来CPU的主频还会越来越高。但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,从而大大降低了电脑的整体性能。为了缓解这个内存瓶颈的问题,我们就必须采用新的内存结构,即SDRAM。因为,从理论上说,SDRAM与CPU频率同步,共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储阵列访问数据的同时,另一个已准备好读写数据,通过两个存储阵列的紧密切换,读取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒,所以,SDRAM已成为内存发展的主流。
当然,EDO内存也并没有完全举手投降,相反,
凭借其出色的视频特性和低廉的价格,在显示内存等领域仍是连连得手,众多低档显卡更是无一例外地采用EDO内存。另外,许多硬盘、光驱和打印机也是采用EDO缓存,可见,EDO内存还真是宝刀不老啊!
RAM有些像教室里的黑板,上课时老师不断地往黑板上面写东西,下课以后全部擦除。RAM要求每时每刻都不断地供电,否则数据会丢失。如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了,这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态,而不必每次都重新启动电脑,重新打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应,那有没有办法解决这个问题呢?随着技术的进步,人们想到了一个办法,即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失,这就是电脑的待机功能,特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用,休眠时电源处于连接状态,但是耗费少量的电能。
按内存条的接口形式,常见内存条有两种:单列直插内存条(SIMM),和双列直插内存条(DIMM)。SIMM内存条分为30线,72线两种。DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用,不同容量可混合使用,SIMM必须成对使用。
按内存的工作方式,内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步动态RAM)等形式。
FPM(FAST PAGE MODE)RAM 快速页面模式随机存取存储器:
thinkpad 原装内存条
这是较早的电脑系统普通使用的内存,它每隔三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM
扩展数据输出随机存取存储器:EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔,他每隔两个时钟脉冲周期输出一次数据,大大地缩短了存取时间,使存储速度提高30%。EDO一般是72脚,EDO内存已经被SDRAM所取代。
S(synchronous)DRAM
同步动态随机存取存储器:SDRAM为168脚,这是PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使CPU和RAM能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据,速度比EDO内存提高50%。
DDR(DOUBLE DATA RATE)RAM
SDRAM的更新换代产品,他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。
RDRAM(RAMBUS DRAM)存储器总线式动态随机存取存储器;
内存条
RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽,芯片到芯片接口设计的新型DRAM,他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号,在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。
内存的参数主要有两个:存储容量和存取时间。存储容量越大,电脑能记忆的信息越多。存取时间则以纳秒(NS)为单位来计算。一纳秒等于10亿分之一秒。数字越小,表明内存的存取速度越快。
D. 内存主供电引脚是第几根
7,15,22,30,38,46,54,62,70,77,85,96,104,108,112,120,128,136,143,148,156,164,168,172,180,184引脚 电压为2.5V
E. ddr4内存条供电脚是多少脚DDR4的定义是什么
“DDR4”的内存条供电脚是284,DDR4定义是指第四代高速CMOS动态随即访问内存。
2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4内存。DDR4相比DDR3最大的改进有三点:采用16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。
(5)台式电脑内存供电引脚扩展阅读
内存条“DDR3”与“DDR4”的外观差异有以下几点:
1、卡槽差异:DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧,但 DDR4 卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
2、增加厚度:为了容纳更多信号层,DDR4 模组比 DDR3 稍厚。
3、曲线边:DDR4 模组提供曲线边以方便插入和缓解内存安装期间对 PCB 的压力。
F. 主板电源芯片引脚定义
主板电源芯片引脚,是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片。主要负责识别CPU供电幅值,产生相应的短距波,推动后级电路进行功率输出。常用电源管理芯片有HIP6301、IS6537、RT9237、ADP3168、KA7500、TL494等。
主要电源管理芯片有的是双列直插芯片,而有的是表面贴装式封装,其中HIP630x系列芯片是比较经典的电源管理芯片,由着名芯片设计公司Intersil设计。
支持两/三/四相供电,支持VRM9.0规范,电压输出范围是1.1V-1.85V,能为0.025V的间隔调整输出,开关频率高达80KHz,具有电源大、纹波小、内阻小等特点,能精密调整CPU供电电压。
(6)台式电脑内存供电引脚扩展阅读:
主板电源芯片提高性能方法
所有电子设备都有电源,但是不同的系统对电源的要求不同。为了发挥电子系统的最佳性能,需要选择最适合的电源管理方式。
首先,电子设备的核心是半导体芯片。而为了提高电路的密度,芯片的特征尺寸始终朝着减小的趋势发展,电场强度随距离的减小而线性增加,如果电源电压还是原来的5V,产生的电场强度足以把芯片击穿。
所以,电子系统对电源电压的要求就发生了变化,也就是需要不同的降压型电源。为了在降压的同时保持高效率,一般会采用降压型开关电源。
同时,许多电子系统还需要高于供电电压的电源,比如在电池供电设备中,驱动液晶显示的背光电源,普通的白光LED驱动等,都需要对系统电源进行升压,这就需要用到升压型开关电源。
此外,现代电子系统正在向高速、高增益、高可靠性方向发展,电源上的微小干扰都对电子设备的性能有影响,这就需要在噪声、纹波等方面有优势的电源,需要对系统电源进行稳压、滤波等处理,这就需要用到线性电源。
上述不同的电源管理方式,可以通过相应的电源芯片,结合极少的外围元件,就能够实现。可见,发展电源管理芯片是提高整机性能的必不可少的手段。
G. 怎么测内存供电
,电脑的电源盒并不直接提供这样的电压,所以需要稳压电路降压后才能提供,一般用大功率的场效应管来做稳压电路,场效应管的输出电压就是内存的供电,测量
H. 电脑内存按接口分几种
分类:
笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口。
台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。
拓展:
1、对应于内存所采用的不同针脚数,内存插槽类型也各不相同。笔记本内存插槽分为SIMM和DIMM。台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽。
2、SIMM(SingleInlineMemoryMole,单列直插内存模块)。DIMM(DualInlineMemoryMole,双列直插内存模块)。
RIMM(RambusInlineMemoryMole)是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型。
I. (笔记本和台式机)内存条的插口类型有哪些,针脚数是多少,各用什么工艺和局限性,性能对比怎么样
DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示,工作频率是内存颗粒实际的工作频率,但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍;而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz,而等效频率分别是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz,而等效频率分别是400/533/667/800MHz。
接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的,金手指上的导电触片也习惯称为针脚数(Pin)。因为不同的内存采用的接口类型各不相同,而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口;台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。对应于内存所采用的不同的针脚数,内存插槽类型也各不相同。目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽,而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来,基本原理并没有变化,只是在针脚数上略有改变。
金手指
金手指(connecting finger)是内存条上与内存插槽之间的连接部件,所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成,因其表面镀金而且导电触片排列如手指状,所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金,因为金的抗氧化性极强,而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价格,目前较多的内存都采用镀锡来代替,从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及,目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料,只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法,价格自然不菲。
内存金手指
内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换,是内存的输出输入端口,因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。
内存插槽
最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存,那时内存芯片都采用DIP(Dual ln-line Package,双列直插式封装)封装,DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接,此时还没有正式的内存插槽。DIP芯片有个最大的问题就在于安装起来很麻烦,而且随着时间的增加,由于系统温度的反复变化,它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭,芯片不断被加热和冷却,慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好,产生内存错误。
早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里,这样有效避免了DIP芯片偏离的问题,但无法再对内存容量进行扩展,而且如果一个芯片发生损坏,整个系统都将不能使用,只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板,此种方法付出的代价较大,也极为不方便。
对于内存存储器,大多数现代的系统都已采用单列直插内存模块(Single Inline Memory Mole,SIMM)或双列直插内存模块(Dual Inline Memory Mole,DIMM)来替代单个内存芯片。早期的EDO和SDRAM内存,使用过SIMM和DIMM两种插槽,但从SDRAM开始,就以DIMM插槽为主,而到了DDR和DDR2时代,SIMM插槽已经很少见了。下边具体的说一下几种常见的内存插槽。
SIMM(Single Inline Memory Mole,单内联内存模块)
内存条通过金手指与主板连接,内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号,也可以提供相同的信号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构,它多用于早期的FPM和EDD DRAM,最初一次只能传输8bif数据,后来逐渐发展出16bit、32bit的SIMM模组,其中8bit和16bitSIMM使用30pin接口,32bit的则使用72pin接口。在内存发展进入SDRAM时代后,SIMM逐渐被DIMM技术取代。
DIMM(Dual Inline Memory,双内联内存模块)
DIMM与SIMM相当类似,不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的,它们各自独立传输信号,因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM,SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同,SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构,金手指每面为84Pin,金手指上有两个卡口,用来避免插入插槽时,错误将内存反向插入而导致烧毁;DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构,金手指每面有92Pin,金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同,是二者最为明显的区别。
为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求,SO-DIMM(Small Outline DIMM Mole)也开发了出来,它的尺寸比标准的DIMM要小很多,而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同,SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚,而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。
RIMM
RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型,RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多,金手指同样也是双面的。RIMM有也184 Pin的针脚,在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度,ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格,此类内存在DIY市场很少见到,RIMM接口也就难得一见了。
颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型,封装就是将内存芯片包裹起来,以避免芯片与外界接触,防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体,乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路,进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大,封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。
随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展,电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展,因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多种多样,有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等,种类不下三十种,经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革,性能日益先进,芯片面积与封装面积之比越来越接近,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,以及引脚数增多,引脚间距减小,重量减小,可靠性提高,使用更加方便。
DIP封装
上个世纪的70年代,芯片封装基本都采用DIP(Dual ln-line Package,双列直插式封装)封装,此封装形式在当时具有适合PCB(印刷电路板)穿孔安装,布线和操作较为方便等特点。DIP封装的结构形式多种多样,包括多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP等。但DIP封装形式封装效率是很低的,其芯片面积和封装面积之比为1:1.86,这样封装产品的面积较大,内存条PCB板的面积是固定的,封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少,内存条容量也就越小。同时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1:1将是最好的,但这是无法实现的,除非不进行封装,但随着封装技术的发展,这个比值日益接近,现在已经有了1:1.14的内存封装技术。
TSOP封装
到了上个世纪80年代,内存第二代的封装技术TSOP出现,得到了业界广泛的认可,时至今日仍旧是内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写,意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚,采用SMT技术(表面安装技术)直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时,寄生参数(电流大幅度变化时,引起输出电压扰动) 减小,适合高频应用,操作比较方便,可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高,价格便宜等优点,因此得到了极为广泛的应用。
TSOP封装方式中,内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的,焊点和PCB板的接触面积较小,使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后,会产品较大的信号干扰和电磁干扰。
BGA封装
20世纪90年代随着技术的进步,芯片集成度不断提高,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要,BGA封装开始被应用于生产。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写,即球栅阵列封装。
采用BGA技术封装的内存,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍,BGA与TSOP相比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升,采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下,体积只有TSOP封装的三分之一;另外,与传统TSOP封装方式相比,BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高;组装可用共面焊接,可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术,TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array(小型球栅阵列封装),属于是BGA封装技术的一个分支,是Kingmax公司于1998年8月开发成功的,其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2~3倍,与TSOP封装产品相比,其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的,而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离,信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4,因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能,而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频,而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄(封装高度小于0.8mm),从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此,TinyBGA内存拥有更高的热传导效率,非常适用于长时间运行的系统,稳定性极佳。
CSP封装
CSP(Chip Scale Package),是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术,其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,已经相当接近1:1的理想情况,绝对尺寸也仅有32平方毫米,约为普通的BGA的1/3,仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比,同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
CSP封装内存不但体积小,同时也更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米,大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性,线路阻抗显着减小,芯片速度也随之得到大幅度提高。
CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离,其衰减随之减少,芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升,这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20%。在CSP的封装方式中,内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上,由于焊点和PCB板的接触面积较大,所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热,且热效率良好,CSP的热阻为35℃/W,而TSOP热阻40℃/W
完美回答