Ⅰ 如何区分内存条是几代的
你们知道内存条怎么区别是第几代的吗?下面是我带来如何区分内存条是几代的的内容,欢迎阅读!
区分内存条是几代的 方法 :
1.SDR两个缺口,单面84针脚,双面168针脚,电压3.3v,内存颗粒长方形(已淘汰)。
2.DDR1(第一代)一个缺口,单面92针脚,双面184针脚,电压2.5v,内存颗粒长方形 工作频率266,333,400。
3.DDR2(第二代)一个缺口,单面120针脚,双面240针脚,电压1.8v,内存颗粒正方形 工作频率533,667,800。
4.DDR3(第三代)一个缺口,单面120针脚,双面240针脚,电压1.5v,内存颗粒正方形 工作频率1066,1333,1800
防呆缺口:位置不同防插错
图中红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口,目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口,大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片,就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。
比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个(双面184个),缺口左边为52个针脚,缺口右边为40个针脚;DDR2 内存单面金手指120个(双面240个),缺口左边为64个针脚,缺口右边为56个针脚;DDR3内存单面金手指也是120个(双面240个),缺口左边为72个针脚,缺口右边为48个针脚。
芯片封装:浓缩是精华
在不同的内存条上,都分布了不同数量的块状颗粒,它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到,不同规格的内存,内存颗粒的外形和体积不太一样,这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说,DDR内存采用了TSOP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封装)封装技术,又长又大。而DDR2和DDR3内存均采用FBGA(底部球形引脚封装)封装技术,与TSOP相比,内存颗粒就小巧很多,FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
TSOP是内存颗粒通过引脚(图2黄色框)焊接在内存PCB上的,引脚由颗粒向四周引出,所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点,并且颗粒封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,但焊点和PCB的接触面积较小,使得DDR内存的传导效果较差,容易受干扰,散热也不够理想。
FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形(图3),而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点,因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,所有的触点就被“包裹”起来了,外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。
速度与容量:成倍提升
前面我们教大家如何计算内存带宽大小,其实我们在选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽,这样才可以满足CPU的数据传输要求。
而我们从带宽公式(带宽=位宽×频率÷8)可以得知,和带宽关系最紧密的就是频率。这也是为什么三代内存等效频率一升再升的原因之一,其目的就是为了满足CPU的带宽。
不仅速度上有所提升,而且随着我们应用的提高,我们也需要更大容量的单根内存,DDR时代卖得最火的是512MB和1GB的内存,而到了DDR2时代,两根1GB内存就只是标准配置了,内存容量为4GB的电脑也逐渐多了起来。甚至在今后还会有单根8GB的内存出现。这说明了人们的对内存容量的要求在不断提高。
延迟值:一代比一代高
任何内存都有一个CAS延迟值,这就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的时间一样。一般而言,内存的延迟值越小,传输速度越快。
从DDR、DDR2、DDR3内存身上看到,虽然它们的传输速度越来越快,频率越来越高,容量也越来越大,但延迟值却提高了,譬如DDR内存的延迟值(第一位数值大小最重要,普通用户关注第一位延迟值就可以了)为1.5、2、2.5、3;而到了DDR2时代,延迟值提升到了3、4、5、6;到了DDR3时代,延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。
功耗:一次又一次降低
电子产品要正常工作,肯定要有电。有电,就需要工作电压,该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的,内存电压的高低,也反映了内存工作的实际功耗。一般而言,内存功耗越低,发热量也越低,工作也更稳定。DDR内存的工作电压为2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2时代,工作电压从2.5V降至1.8V;到了DDR3内存时代,工作电压从1.8V降至1.5V,相比DDR2可以节省30%~40%的功耗。为此我们也看到,从DDR内存发展到DDR3内存,尽管内存带宽大幅提升,但功耗反而降低,此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。
制造工艺:不断提高
从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高的工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低。譬如DDR内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺,而DDR2颗粒采用了0.09微米制造工艺,DDR3颗粒则采用了全新65nm制造工艺(1微米=1000纳米)。
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Ⅱ 2017年笔记本内存条是第几代
二代内存,2017年笔记本内存条是第2代,内存条分为三代,从上到下分别是DDR、DDR2、DDR3。内存条是CPU可通过总线寻址,并进行读写操作的电脑部件,内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。
Ⅲ 怎么判断笔记本内存条是二代还是三代
有用户想知道笔记本的是几代的,究竟是三代还是二代?虽说现在都是以三代为主,但是还是检查一下好,下面我们来看看怎么判断笔记本内存条是二代还是三代的方法,需要的朋友可以参考下。
二代就是DDR2,三代就是DDR3
1、区分笔记本内存条是二代还是三代
2、有贴纸的话,看下规格;没有的话就看金手指缺少的位置。
补充:内存常见维护保养技巧
1.对于由灰尘引起的内存金手指、显卡氧化层故障,大家应用橡皮或棉花沾上酒精清洗,这样就不会黑屏了。
2.关于内存混插问题,在升级内存时,尽量选择和你现有那条相同的内存,不要以为买新的主流内存会使你的电脑性能很多,相反可能出现很多问题。内存混插原则:将低规范、低标准的内存插入第一内存插槽(即DIMM1)中。
3.当只需要安装一根内存时,应首选和CPU插座接近的内存插座,这样做的好处是:当内存被CPU风扇带出的灰尘污染后可以清洁,而插座被污染后却极不易清洁。
4.安装内存条,DIMM槽的两旁都有一个卡齿,当内存缺口对位正确,且插接到位了之后,这两个卡齿应该自动将内存“咬”住。 DDR内存金手指上只有一个缺口,缺口两边不对称,对应DIMM内存插槽上的一个凸棱,所以方向容易确定。而对于以前的SDR而言,则有两个缺口,也容易确定方向,不过SDR已经渐渐淡出市场,了解一下也无妨;而拔起内存的时候,也就只需向外搬动两个卡齿,内存即会自动从DIMM(或RIMM)槽中脱出。
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查看内存标签:正品金士顿内存标签印刷清晰规则,而假货则明显粗糙浅淡,字体显得比较单薄。另外,真假金士顿内存标签的排版规则也有很大出入,请仔细观察。
查看内存颗粒:通过图片中金士顿内存颗粒可以清晰看出,正品金士顿内存颗粒印刷清晰,而假内存的颗粒则非常暗淡,与正品形成鲜明对比。对于一款内存,PCB电路板仅占内存成本的百分之十左右,而内存颗粒才是决定内存价格的重点。因此,通常假货的PCB基本也是正规代工厂制造,而颗粒则采用行话里的“白片”,就是我们所说的次品,价格低廉,但稳定性和兼容性很差。
查看注册商标标识:正品金士顿的注册商标“R”的周围清楚的印有由"KINGSTON"英文字母组成的圆圈,而假货则明显胡乱仿制的一个圆框而已。还有一点,仔细观察标签内部的水印,假内存水印和KINGSTON字体衔接处都有明显的痕迹,证明是后印刷的,这在正品金士顿内存中是不会出现的。
金手指辨认:下为正品金士顿内存的金手指。正品金士顿内存的金手指色泽纯正、紫色方框内的金手指连接部位经过镀金;假冒金士顿内存的金手指色泽略显暗淡,红色方框内的金手指连接处为PCB板的铜片,并未镀金。
PCB板上的字体辨认:左为正品金士顿内存。正品金士顿内存的字体均匀,无明显大小区别,并且有相关的认证符号。假冒金士顿内存的字体不一,无相关认证符号。
K字标签:这是使用单反相机进行微距拍摄,同时打开闪光灯拍摄真假标签,正品标签的镭射图案能看出密集的银粉颗粒,K字并不明显,背景呈蓝色。而假冒标签的K字十分明显,银粉颗粒的密度较低。
翻转角度查看防伪:正品金士顿内存的镭射防伪标签,通过变换角度能呈现出两种图案,第一种图案为上半沿带银粉效果,下半沿呈半个K渍;第二种图案为下半沿带银粉效果,上半沿呈半个K字。而假冒标签就只有一种图案,就是整个呈现出来一个很明显的K字。
查询序列号:验证方式内存产品编辑短信“M+产品SN序列号”发送至0212 333 0345
按照金士顿官方的说法,我输入“M36785241571636”发到“02123330345”即可查询内存真伪!
Ⅳ 如何区分内存条是几代
问题一:怎样区分内存条是几代 如果看外观就要看内存的U型卡槽
DDR是一代 DDR2是二代 DDR3是三代
问题二:内存条怎样区分是几代的 你这个是DDR 1代内存。
DDR 400MHZ、533MHZ是一代内存
DDR 667MHZ、800MHZ是二代内存
DDR 1066MHZ、1333MHZ、1600MHZ、1866MHZ、2133MHZ是三代内存
你要是想在电脑上再加一条内存卡的话必须和你原来的内存条是一代的,否则插槽进不去,品牌上没什么要求,其实我觉得你这电脑应该也很老了,现在买一代的内存条应该也挺贵的,现在都用DDR3的了,你那个都已经不生产了,电脑要是能对付用就先用着吧,加了内存条你处理器的速度跟不上的话加了内存条也起不到什么作用!
问题三:怎么分辨电脑内存条是几代的 1、用鲁大师确定自己的硬件型号。
2、仔细看会发现内存金手指的豁口,DDR2的是在中间,DDR3则偏一些.这个是最基本的区分方法。
3、插槽是不一样,DDR3比DDR2频率高,速度快,容量大,性能高。DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好,而大容量内存的分水岭是4GB这个容量,4GB是32位操作系统的执行上限(不考虑PAE等等的内存映像模式,因这些32位延伸模式只是过渡方式,会降低效能,不会在零售市场成为技术主流)当市场需求超过4GB的时候,64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案,此时也就是DDR3内存的普及时期。
4、DDR1内存条现在已淘汰了。
问题四:现在的内存条怎么看是几代 内存条标签上一般写有的,PC2表示2代,PC3 表示3代,4代还没用过,估计差不多吧。
问题五:ddr3是什么意思?怎么区分内存条是第几代的? 内存条按照工作原理历史上可以分为四种类型,包括DIMM型,SIMM型,以及SDRAM型,DDR-SDRAM型。DIMM型很早年代就淘汰了,SIMM型今天也同样接近淘汰,而SDRAM型也差不多没怎么生产了,今天而言普遍运用的都是DDR-SDRAM型,是从几年之前流行的PC66,PC100,PC133之类的SDRAM类型内存条技术上改良而产生出了DDR-SDRAM类型。SDRAM类型工作时只能从时钟频率的上行才会传输数据。但是后来改良的DDR-SDRAM在工作时通过时钟频率的上行以及下行都可以同时传输数据,所以在运行频率完全相等的状态下,DDR-SDRAM可以具备双倍的传输带宽速度,通过主板上的北桥芯片的支持,两根DDR-SDRAM内存可以实现与CPU的同步运行并且传输四倍以上带宽的数据,这又被称为支持双通道技术。另外,DDR内存的针脚有184pin的,但是因为SDRAM的针脚却只有168pin,DDR内存条只有单个缺口,SDRAM是有两个缺口,所以SDRAM类型与DDR-SDRAM类型无法兼容,是两种不同类型的内存条,题主必须仔细区分类型。计算机中内存条在运行时必须跟CPU同步工作,所以根据CPU频率的不同,选择不同频率类型的内存条是非常关键。比较名牌质量优秀的内存条通常在硬件上都会附加SPD芯片,用于自动让主板CPU读取内存类型频率固有数据,以方便硬件适应工作频率。
DDR3的意思就是第三代DDR-SDRAM内存条,提供了相较于DDR2-SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR2-SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的升级者,DDR2代只能在时钟上下行同时读取四倍带宽的数据,DDR3可以在时钟的上行下行同时读取八倍的数据带宽。3代的pin针脚与2代相比没有变化依然240pin,但是3代缺口位置变了所以还是不兼容0.0!以这来看,DDR4代的内存条就可以同时读取16倍以上的数据带宽,DDR4如今已经在生产了,具有284pin弧形针脚,16倍以上数据带宽,频率至少2144MHZ。
问题六:内存条有几代,分别是什么样的? 您好
内存条的主要情况如下
按内存类型分:DDR ,DDR2,DDR3 。
按内存主频分: DDR3 2000, DDR3 1800, DDR3 1600, DDR3 1333,DDR3 1066,DDR2 1066, DDR2 800, DDR400 。
内存分为DRAM和ROM两种,前者又叫动态随机存储器,它的一个主要特征是断电后数据会丢失,平时说的内存就是指这一种;后者又叫只读存储器,平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去调用硬盘中的Windows,ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
问题七:怎么区分内存条是几代的告诉我一下好吗? 一代: DDR133(PC1600)、DDR266(PC2100)、DDR333(PC2700)、DDR400(PC3200)
二代:DDR2 533(PC4200)、DDR2 667(PC5300)、 DDR2 800(PC6400)
()内的是另外一种表示方法。
三种金手指是不同的,不能通用
问题八:怎样分辨电脑的主板是几代的 合适几代内存条 你可用鲁大师检测一下就知道了。。。。上面有说明的。如:DDR 表示一代。。如DDR2那就是二代。
问题九:如何区分内存条是几代的 = = 哥们啊 我逛了一天了 都是你的问题啊。你到底多白啊。内存上都有标识的 10661333 1600 频率或以上的是DDR3就是三代的。DDR2 是677 800 也就是二代内存。DDR400 或者一下的都是一代的。你去网络搜下图片 太慢那个防误插的口是不一样的位置的
问题十:怎样区分内存条是几代 如果看外观就要看内存的U型卡槽
DDR是一代 DDR2是二代 DDR3是三代
Ⅳ 内存条是怎么区分几代的
下面举例的都是市面上常见的内存型号x0dx0aDDR一代也就是DDR400,采用的是184PIN DIMM接口标准,工作电压为2.5V x0dx0aDDR2也就是DDR533-667-800采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准,工作电压为1.8V x0dx0a外观上看DDR2比DDR一代的金手指多,而且密集 x0dx0aDDR3也就是DDR1333或以上工作电压1.5V 防呆板接口更往后一些x0dx0aDDR都是只有一个口,只不过2代相对于一代的口更往中间去点而