㈠ 电脑内存条如何区分识别
内存是电脑的一个临时存储器,如何正确区分内存条十分有必要,下面我整理了解决电脑内存条区分识别 的方法,希望能帮到大家O(∩_∩)O哈哈~
台式机拆内存条比较方便,可以直接带到店里换,当然也可以用手机拍下参数;笔记本拆卸比较麻烦,建议拿到电脑店让专业人士操作更换。
㈡ 电脑内存条分几种 如何分辨
根据存储单元的工作原理不同,电脑内存条RAM分为静态RAM和动态RAM。
1、静态随机存储器(SRAM)
静态存储单元为在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此,它是靠触发器的自保功能存储数据的。SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留,状态稳定,不需外加刷新电路,从而简化了外部电路设计。但由于SRAM的基本存储电路中所含晶体管较多,故集成度较低,且功耗较大。
2、动态随机存储器(DRAM)
DRAM利用电容存储电荷的原理保存信息,电路简单,集成度高。由于任何电容都存在漏电,因此,当电容存储有电荷时,过一段时间由于电容放电会导致电荷流失,使保存信息丢失。
解决的办法是每隔一定时间(为2ms)须对DRAM进行读出和再写入,使原处于逻辑电平“l”的电容上所泄放的电荷又得到补充,原处于电平“0”的电容仍保持“0”,这个过程叫DRAM的刷新。
分辨方法:SRAM存储原理:由触发器存储数据。单元结构:六管NMOS或OS构成。优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache。缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大。
DRAM存储原理:利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理,需刷新(早期:三管基本单元;之后:单管基本单元)。刷新(再生):为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失,必须定时给栅极电容补充电荷的操作。
(2)电脑内存条怎么分扩展阅读
内存采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE)。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。
(synchronous)SDRAM同步动态随机存取存储器:SDRAM为168脚,这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。
SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使CPU和RAM能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据,速度比EDO内存提高50%。
DDR(DOUBLE DATA RATE)RAM :SDRAM的更新换代产品,他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。
㈢ 电脑内存条如何区分
现在市面上的内存分为三代:DDR1、DDR2和DDR3.它们三者之间有什么区别呢?我们又该怎么去区分呢?下面就让我为大家一一介绍吧。
与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
图1就是三代内存的全家照,从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢记住它们的样子,因为后面的内容会提到这幅图。
速度与容量:成倍提升
前面我们教大家如何计算内存带宽大小,其实我们在选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽,这样才可以满足CPU的数据传输要求。
而我们从带宽公式(带宽=位宽×频率÷8)可以得知,和带宽关系最紧密的就是频率。这也是为什么三代内存等效频率一升再升的原因之一,其目的就是为了满足CPU的带宽。
不仅速度上有所提升,而且随着我们应用的提高,我们也需要更大容量的单根内存,DDR时代卖得最火的是512MB和1GB的内存,而到了DDR2时代,两根1GB内存就只是标准配置了,内存容量为4GB的电脑也逐渐多了起来。甚至在今后还会有单根8GB的内存出现。这说明了人们的对内存容量的要求在不断提高。
延迟值:一代比一代高
任何内存都有一个CAS延迟值,这就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的时间一样。一般而言,内存的延迟值越小,传输速度越快。
从DDR、DDR2、DDR3内存身上看到,虽然它们的传输速度越来越快,频率越来越高,容量也越来越大,但延迟值却提高了,譬如DDR内存的延迟值(第一位数值大小最重要,普通用户关注第一位延迟值就可以了)为1.5、2、2.5、3;而到了DDR2时代,延迟值提升到了3、4、5、6;到了DDR3时代,延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。
功耗:一次又一次降低
电子产品要正常工作,肯定要有电。有电,就需要工作电压,该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的,内存电压的高低,也反映了内存工作的实际功耗。一般而言,内存功耗越低,发热量也越低,工作也更稳定。DDR内存的工作电压为2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2时代,工作电压从2.5V降至1.8V;到了DDR3内存时代,工作电压从1.8V降至1.5V,相比DDR2可以节省30%~40%的功耗。为此我们也看到,从DDR内存发展到DDR3内存,尽管内存带宽大幅提升,但功耗反而降低,此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。
制造工艺:不断提高
从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高的工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低。譬如DDR内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺,而DDR2颗粒采用了0.09微米制造工艺,DDR3颗粒则采用了全新65nm制造工艺(1微米=1000纳米)。
总结
内存的知识就讲到这里了,总的说来,内存主要扮演着CPU数据仓库的角色,所以CPU性能的提升,内存的容量和性能都要跟得上,但也不可盲目地把内存容量配得过大。对于大多数用户来说2GB DDR2 800的内存就足够了,而偏高端一点的电脑使用总容量为4GB的内存就差不多了。
物理内存和虚拟内存
物理内存就是我们所能见到的内存条。而虚拟内存就是“假”的内存条,它是在硬盘上开辟的一个用于存储的空间,对于物理内存来说,它是一种扩展和补充。当内存空间紧张时,系统就会将一些暂时用不到的数据转存到虚拟内存当中。这就像在一个流动仓库中,管理员把一些滞销的货物先移到后备仓库去,将空间腾出来留给那些经常进出仓库的货物使用。
DIMM
DIMM的全称是Dual Inline Memory Mole(双列直插内存模组),我们可以简单地将它理解为内存插槽的类型。从最初的SDRAM DIMM到DDR DIMM,再到现在的DDR2 DIMM,几种类型所规定的针脚(即金手指)数量、针脚定义防呆缺口等等都不相同,不能混用。