ddr5内存电脑性能提升

1. 从技术角度，DDR5内存主要有哪些方面升级

DDR5最直观的感受就是频率提高了，也就是DDR4内存2133MHz的起始频率翻倍到了4800MHz，仅从数值感知来看，DDR5确实是内存技术的一次大飞跃。而从技术上来看，DDR5的内存有4大升级。

4、双32位通道

引入了双32位通道的基本原理是把DDR5模块64位分成了两部分，每部分是32位，这样有效提升了内存控制器和数据访问，同时也能大幅度减少延迟，带来更好的观感体验。

新技术带来的思考：

DDR5风头早在去年就崭露头角，一直处于风口浪尖，它的到来必定会导致老产品的脱节，新老技术更替换代也正是科技行业的良性循环，同时也是不可避免的，对于业界来说，快速了解和接受新技术是行业持续的基础。

2. ddr5提升大吗

品牌型号：华为MateBook D15
系统：Windows 11

DDR5提升大，DDR5是一种计算机内存规格。与DDR4内存相比，DDR5标准性能更强，局孝功耗更低。唤悔其它变化还有，电压从1.2V降低到1.1V，同时每通道32/40位（ECC）、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。

与DDR4相比，改进的DDR5功能将使实际带宽提高36%，即使在3200 MT / s（此声明必须进行测试）和4800 MT / s速度开始，与DDR4-3200相比，实际带宽将高出87%。与此同时，DDR5最重要的特性之一将是超过16 Gb的单片芯片密度。

DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度，电源电和腊正压降至1.1 V，允许的波动范围为3%（即±0.033V）。每个模块使用两个独立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5将具有改进的命令总线效率，因为通道将具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）总线，更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。

3. DDR5相比DDR4提升大吗

性能不高。

相比AMD新一代AM5平台全面支持DDR5，Intel600/700系列芯片组能够同时支持DDR4和DDR5内存。在相同桌面处理器和其他硬件的加持下，DDR5对比DDR4在游戏上的性能差距并不明显。

在1080P分辨率下，DDR5-6200内存对比DDR4-4000在游戏颤指帧数上有着些许提升，但在2K、4K高分辨率下进行游戏，无论3A大作还是竞技类网游都几乎没有差别，甚至个别吃时序的游戏中还出现了反优化。

DDR5的主要特性：

1、等效频率提升

大家最能感受到的等效频率的提升，直接从“2133MHz”增长至“4800MHz”，随着当下DDR5内存调参的深入，6400MHz或将成为主流水平。

频率的提升，使得DDR5内存在理论跑分上有了提升，在读取测试、写入档哪测试，还是复制、延时方面，从跑分结果而言提升较大。

2、DRAM容量提升

内存的DRAM容量也是此行洞码次DDR5内存技术提升的重点方向，在JEDEC的DDR4规范中，单颗内存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5时代，单颗Die的容量上到64Gb的高度。

4. 新一代内存DDR5带来了哪些改变

从增强现实到人工智能、云计算再到物联网，5G正在燃爆新技术增长，同时也在燃爆它们生成的数据量。数据量越来越大，随之而来的是存储和快速访问需求，DDR5之类的技术变得空前重要。数据中心需要持续存储、传送和处理这些数据，推动着高速信令的极限，也给内存带来了前所未有的测试挑战。

具体有哪些变化？ DDR5与DDR4差别很大，实际上更像LPDDR4，DDR5带来9个变化。

1. 速度更快！ 第一个，也是最重要的一个，数据速率达到6.4 Gbps，而DDR4最高只有3.2Gbps。规范中还有一条，在未来几年内把速度上限推高到8 Gbps以上。通道结构与LPDDR4类似，ECC中也有两条独立的40位通道。还有更高的预读取、更高的突发长度和更高的行列组，这些都激镇提高了效率，实现了高速模式。

2. DDR5带来的另一大变化是写入不再居中。 DQS和DQ之间有固定的偏置，因此我们不能只在示波器上测量DQS和DQ之间的延迟，以推算出是读还是写。不再这么容易了！读写突发分隔都将变得更加复杂。

3. 新的时钟抖动测量。 DDR5引入了Rj、Dj和Tj测量，代替了周期和周期间抖动测量。Rj指标在最大数据速率下变得非常紧。优秀的信号完整性对满怀信心地测量这些参数变得至关重要。

4. 反嵌在更高的DDR5数据速率下将变得非常关键。 反嵌是一种移除探头和内插器负载的技术。它还用来把探测点以虚拟方式从DRAM球移到DRAM芯片，以使反射达到最小。我们想看到Rx看到的是什么。为成功地创建反嵌滤波器文件或传递函数，要求s-par文件，而且数量很多。想法是在SOC封装、电路板模型、DRAM封装、内插器、探头及IO设置中使用s-par模型，比如Tx驱动强度和Rx ODT (如有)，尽可能如实模拟DDR通道。如果没有s-par模型，还可以使用简单的传输线参数，如传播延迟和特性阻抗，这通过在示波器屏幕上测量反射来实现。

5. 我们将第一次在接收机中有Rx均衡、4阶DFE。 DDR5提高了数据速率，而不用把DQ总线迁移到差分信令，也就是说，DQ总线仍是单端的，与DDR3/4相同。然而，内存通道有大量的阻抗失配点，由于反射而提高了整体ISI。在数据速率超过4800 Mbps时，DRAM球的数据眼图预计会闭合。DDR5 DRAM Rx实现了4阶DFE，帮助均衡DQ信号，在接收机锁存数据后张开数据眼图。此外，RCD的CA Rx还需要DFE，以确保可靠地捕获信号。

6. DDR5另一个明显变化是包括一条环回通道 。看一下DDR5的引脚图，您会发现专用的DQS/DQ环回引脚。其用来实现独立DRAM RX/TX表征。环回通道至关重要。事实上，我们正是通过环回通道，才知道接收机真正实册铅慧时做了哪些位决策。它是所有不同接收机之间共享的一条单线，由于信号完整性差及其他原因，我们只能发回每第四个位或每第二个位，所以有充足的时间，能够确保外部接收机或误码检测器能够以100%准确度校验片上Rx的质量。

7. DDR5需要使用BERT和/或通用码型发生器进行独立DRAM Rx/Tx测试。 这要求一套全新测试，包括电压和频率灵敏度及压力眼图测试，DDR3/4中是没有这些测试的。概念很简单，任何人都应能够使用标准化JEDEC夹具，根据JEDEC规定的测试程序，执行标准测试，确定DRAM Rx/TX的 健康 状况。

8. 准确的压力校准将成为DDR5 RX测试中的大问州答题， 而且要获得准确的S参数模型，这两者都必须进行估算并测量，包括所有段。另一个关键特性是能够准确地或很好地猜出测量深度及示波器记录长度，这样就不会浪费太多的时间。

9. DRAM Rx/Tx测试将面临巨大的数据库管理问题。 数量庞大的s-par文件、反嵌模型和测量结果的自动化和管理，将变成一个噩梦。想象一下，不同厂商多种DIMM配置，以不同速度等级测试80多个引脚，这将非常非常困难。

与DDR3/4相比，DDR5改善了带宽、密度和通道效率。但数据传送速率越高，信号速度越快，要求一致性测试、调试和验证的测量性能越高。泰克 科技 去年7月推出TekExpress DDR5发射机解决方案，其改善了自动化程度，工程师可以克服各种DFE所带来的分析挑战，采用用户自定义采集和DDR5去嵌技术及串行数据链路分析(SDLA)技术，满怀信心地、高效地验证和调试DDR5设计。了解DDR5固有的差异有助于高效检验和调试。